电容 | 3.9pF | 容差 | ±0.1pF |
电压 - 额定 | 50V | 温度系数 | C0G,NP0 |
工作温度 | -55°C ~ 125°C | 应用 | 通用 |
安装类型 | 表面贴装,MLCC | 封装/外壳 | 0402(1005 公制) |
大小 / 尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) | 厚度(最大值) | 0.022"(0.55mm) |
产品概述:GRM1555C1H3R9BA01D
基本信息: GRM1555C1H3R9BA01D 是一款由知名电子元器件制造商村田(muRata)生产的表面贴装多层陶瓷电容(MLCC)。该电容器采用0402封装尺寸,将紧凑与高性能相结合,非常适合现代电子设备对空间和性能的需求。其基本参数包含电容值为3.9pF,额定电压为50V,容差为±0.1pF,适配的工作温度范围为-55°C至125°C,温度系数为C0G(也称为NP0),这是电容器中非常优良的规格,确保在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
电容特性与应用: GRM1555C1H3R9BA01D 的电容值3.9pF和高达50V的额定电压使其适用于许多对电容要求精确且高度稳定的应用场景。C0G NP0 温度系数意味着该电容器在其工作温度范围内具有非常低的电容温度漂移,这对于高频和射频电路尤为重要,可以有效减少信号失真,确保信号的完整性,适应高性能的要求。在高频应用中,低电容值常常是滤波、耦合、旁路和谐振电路设计中的必要选择。
由于其较高的额定电压和出色的温度稳定性,GRM1555C1H3R9BA01D 适合用于多种电子设备中,例如手机、平板电视、电脑主板、通信设备等。此外,其低ESR(等效串联电阻)特性使其在高效能电源管理应用中也表现出色。
设计与制造优势: 村田作为全球知名的电子元器件制造商,凭借其卓越的设计与生产能力,确保了GRM1555C1H3R9BA01D 的高品质与稳定性。该电容的生产过程中采用先进的陶瓷材料,结合精密的制造工艺,保障了每个元件的优越性能和更长的使用寿命。
封装尺寸0402(1.00mm x 0.50mm)使得该电容器可以在空间受限的电路板上轻松集成,适合现代小型化、轻量化的电子产品设计趋势。其平整的表面有利于自动化贴装,提高了生产效率,并在减少装配缺陷的同时,降低了整体生产成本。
应用实例: 在射频及微波设备中,GRM1555C1H3R9BA01D 可用作滤波和耦合电路的关键元件。而在高频信号处理应用中,它的超低电容值3.9pF能够有效降低信号的烧损,从而保证了信号的清晰度。此外,在功率放大器和其他高速电路中,实现了优良的不间断信号传输。
结论: GRM1555C1H3R9BA01D 是一款高性能、稳定并适用于多种应用场合的电容器。作为C0G NP0系列的代表,凭借3.9pF的精确电容值、50V的额定电压以及-55°C至125°C的广泛工作温度范围,GRM1555C1H3R9BA01D 必定能满足各种高要求场景下的电气性能需求,必将在现代电子产品中发挥出重要作用。在追求高效、稳定、可靠的电子元器件日益增多的市场中,GRM1555C1H3R9BA01D 以其品质和性能优势脱颖而出,是电子工程师在开发新一代电子产品时不容忽视的理想选择。