SI2337DS-T1-E3
SI2337DS-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta），2.5W（Tc） | 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2337DS-T1-E3手册
SI2337DS-T1-E3概述
SI2337DS-T1-E3 产品概述
一、产品介绍
SI2337DS-T1-E3是VISHAY（威世）公司出品的一款高性能P通道MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。这款MOSFET具有高达80V的漏源电压能力和2.2A的连续漏极电流，适用于各种需要高开关效率和高可靠性的场合。凭借其紧凑的SOT-23-3封装和优异的电气特性，SI2337DS-T1-E3在功率管理、电源开关、负载切换等应用中表现出色。
二、基本参数
- FET类型: P通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 80V
- 连续漏极电流（Id）: 2.2A (温度条件Tc)
- 驱动电压: 6V（最小），10V（最大Rds On）
- Rds On（导通电阻）: 在Id为1.2A、Vgs为10V时最大值为270毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为4V，在250µA时测得
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为17nC，测试条件下为10V
- 输入电容（Ciss）: 最大值为500pF，在40V条件下测得
- 功率耗散:最大值760mW (工作环境温度Ta)，2.5W（在Tc条件下）
- 工作温度范围: 绝对工作温度从-50°C到150°C（TJ）
- 封装类型: SOT-23-3 (TO-236)，也兼容SC-59封装结构
三、特性分析
高漏源电压及电流能力: SI2337DS-T1-E3能够承受高达80V的漏源电压以及2.2A的连续漏极电流，使其能够满足大多数中等功率电子产品的需求。该特性使得其在汽车电子、电源管理及各种工业控制仪器中拥有广泛的应用。
优异的导通电阻: 导通电阻（Rds On）在较低的电流下仅为270毫欧，这意味着SI2337DS-T1-E3在开启状态下能够有效降低功率损耗，进而提高整体效率。这一特性也优化了热管理性能，有助于在紧凑空间内实现更高的功率密度。
低阈值电压和较小的栅极电荷: P通道MOSFET的栅极阈值电压最高为4V，具有较低的驱动电压要求。在10V下的17nC栅极电荷保证了快速开关操作，适合需要高频开关的电路设计。
广泛的工作温度: SI2337DS-T1-E3的工作温度范围从-50°C到150°C，符合工业和汽车应用中对环境适应性的严格要求，确保其在各种苛刻条件下的可靠性。
四、应用领域
SI2337DS-T1-E3因其独特的特性与强大的性能，被广泛应用于：
电源开关: 在开关电源、电池管理和电源转换应用中，具备高导通效率和低损耗的特点。
负载驱动: 适用于低压功率负载切换和控制，尤其是在需要高电流和高电压操作的场合。
电机控制: 在小型电机驱动和控制中表现良好，能够有效调节电机的功率输出。
汽车电子: 由于其优良的热稳定性和抗干扰能力，适用于汽车的各类电气系统，比如电动座椅、灯光控制和电动窗户等。
五、结论
总之，SI2337DS-T1-E3是一个设计精良的P通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装形式，使其在现代电子设计中成为理想选择。VISHAY凭借其深厚的技术背景和市场上良好的信誉，为用户提供了一款具有高可靠性及多功能性的电子元器件，适合各种严苛的应用场景。