频率 - 跃迁 | 22GHz | 晶体管类型 | NPN |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 90 @ 20mA,3V |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 5.8V | 功率 - 最大值 | 230mW |
工作温度 | 150°C(TJ) | 增益 | 12.5dB ~ 26.5dB |
安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 70mA |
引言
BFP460H6327XTSA1是英飞凌公司(Infineon Technologies)推出的一款高频NPN RF晶体管,设计用于广泛的高频率应用中,特别是在通信和信号处理领域。这款晶体管结合了出色的电气性能和可靠的热稳定性,能够在高温工作环境中保持稳定操作,是现代无线通信设备和射频应用的理想选择。
技术特性
频率范围: BFP460H6327XTSA1的频率跃迁达到22GHz,使其能够支持各种高频率的应用需求。这一特性非常适合于卫星通信、微波信号放大及射频识别等应用。
噪声系数: 该元件在频率范围100MHz至3GHz的工作条件下表现出优异的噪声性能,噪声系数介于0.7dB到1.2dB之间。低噪声特性使其在信号传输中能够最大限度地减少信号干扰,增强通讯信号的清晰度。
电流增益 (hFE): 在集电极电流Ic为20mA及集电极-发射极电压Vce为3V的条件下,BFP460H6327XTSA1的直流电流增益最小值为90,这表明了其在较小输入信号条件下能够提供相对较大的输出信号,提升了其整体增益性能。
最大集电极电流及功率: 该晶体管的最大集电极电流为70mA,最大功率可达230mW。这一规格使其能够在高功率和高增益的应用环境中正常工作,为需要高信号强度的设备提供足够的驱动能力。
电压特性: BFP460H6327XTSA1的最大集射极击穿电压为5.8V。此项参数确保了在工作中电压保持在安全范围内,从而提高了整个电路的可靠性。
安装类型及封装: 采用表面贴装型(SMD)封装,遵循PG-SOT343格式,BFP460H6327XTSA1可轻松集成到现代电路板设计中,适应自动化生产流程。
工作温度范围: 其工作温度可达150°C(TJ),使得该元件在高温工作环境中也能保持良好的性能,适合高温及严苛环境的工业应用。
应用领域
BFP460H6327XTSA1适用于多种应用场景,包括但不限于:
移动通信: 适合用于GSM、CDMA和LTE基站中的信号放大器。
卫星通信: 能够满足高频低噪声要求,适合于卫星信号传输。
微波应用: 可用于微波射频放大器,提升无线信号的传输效率。
射频识别(RFID): 由于其低噪声和高增益特性,在RFID应用中能够有效提升信号的可靠传输。
总结
综上所述,BFP460H6327XTSA1是一款高效、可靠、适合高频无线通信的NPN RF晶体管。凭借其卓越的噪声性能、增益特性、合理的功率输出和良好的工作温度范围,它将为设计工程师在各种高频应用场合提供强有力的支持。无论是在商业通信、工业控制还是消费电子产品中,这款晶体管都将发挥关键作用,为用户带来卓越的性能和可靠性。