安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 24 毫欧 @ 9A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A(Ta),23A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1170pF @ 50V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 功率耗散(最大值) | 4.1W(Ta),28W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
AON7292 是一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),设计用于多种电子电路应用。这款产品专为需要高效率和高可靠性的场合而设计,具备极低的导通电阻和高功率处理能力。
AON7292 的主要电气参数包括:
AON7292 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,具有优异的热稳定性。该特性使其能够在极端环境下(如高温或低温应用)良好运行,非常适合军事、航空航天和工业控制系统等应用。
AON7292 适用于各种需要高性能 MOSFET 的应用场景:
AON7292 采用 8-DFN-EP(3.3x3.3 mm)封装形式,具有出色的散热性能和小型化特点。表面贴装型设计使其便于集成到各种电路板中,大大提升了设计的灵活性和可制造性。
AON7292 是一款设计优良的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和高电流及电压承受能力,非常适合用于高效能、要求可靠性的电子应用。无论是在电源管理、工业设备还是消费电子中,AON7292 都能为设计者带来出色的系统性能和高性价比,是现代电子设计中的优秀选择。