GD25Q32CTIGR
GD25Q32CTIGR参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 技术 | FLASH - NOR |
| 写周期时间 - 字，页 | 50µs，2.4ms | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O | 存储容量 | 32Mb （4M x 8） |
| 存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
| 时钟频率 | 120MHz | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
GD25Q32CTIGR手册
GD25Q32CTIGR概述
GD25Q32CTIGR 产品概述
GD25Q32CTIGR 是一款由北京兆易创新（Gigadevice）生产的高性能 NOR FLASH 存储器，采用表面贴装型（SMD）封装，专为嵌入式系统和低功耗应用设计。该器件具有32Mb（4M x 8）存储容量，支持 SPI 四 I/O 接口，适合需要高速数据读写和存储的各种电子产品。
主要特性
存储容量与格式： GD25Q32CTIGR 提供32Mb的非易失性存储，其存储格式为闪存（Flash），方便读取和写入操作，适用于需要快速存取的场景。
接口与数据传输： 该器件采用 SPI（串行外设接口）实现与主控器的通信，并支持四线 I/O 数据接口，能够有效提高数据传输速度。其最高时钟频率可达120MHz，确保在高负载下依然能够保持稳定的数据传输速率。
写入性能： GD25Q32CTIGR 的写周期时间表现优异，单字写入时间为50微秒，页写入时间为2.4毫秒，功能强大的写入性能使得这款 FLASH 存储器在需要频繁更新数据的应用中表现出色。
工作温度范围： 该器件的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C，使其能够在严苛的环境下运行。这种广泛的温度适应性非常适合用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
供电电压： GD25Q32CTIGR 的供电电压范围在2.7V到3.6V之间，具有较低的电压要求，使其能在各种低功耗的应用中被广泛使用，符合现代电子元器件对能量效率的需求。
封装类型： 该产品采用 SOP-8 150mil 封装，适合表面贴装应用，方便集成至各种电路板中。其小巧的设计使得 PCB 布局更加灵活，同时提供良好的散热性能。
应用领域
GD25Q32CTIGR 的广泛应用场景包括：
- 消费电子产品：如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备。
- 汽车电子：在车载导航、仪表盘等应用中，提供稳定的数据存储支持。
- 工业控制系统：用于存储固件和配置信息，确保设备的稳定性和可靠性。
- 物联网设备：随着 IoT 设备普及，GD25Q32CTIGR 提供的数据存储解决方案为设备提供持续可靠的操作支持。
- 网络设备：在路由器和交换机等网络设备中存储配置数据和系统固件。
结论
GD25Q32CTIGR 是一款功能强大且灵活的 NOR FLASH 存储解决方案，在多种应用环境中展现出卓越的性能。其高效的读写速度、广泛的工作温度范围以及适应低功耗需求的优点，使其成为不同市场趋势下理想的存储器件选择。随着技术的发展和应用需求的升高，GD25Q32CTIGR 将继续在各类嵌入式应用中发挥其独特的价值和优势。