FM24VN10-G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FM24VN10-G

商品编码: BM0041824948
品牌 : 
CYPRESS(赛普拉斯)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
FRAM(铁电体-RAM)-存储器-IC-1Mb-(128K-x-8)-I²C-3.4MHz-130ns-8-SOIC
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
103.42
按整 :
管(1管有97个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥103.42
--
10+
¥94.02
--
1940+
产品参数
产品手册
产品概述

FM24VN10-G参数

存储器格式FRAM存储器类型非易失
时钟频率3.4MHz安装类型表面贴装型
电压 - 供电2V ~ 3.6V存储器接口I²C
存储容量1Mb (128K x 8)技术FRAM(铁电体 RAM)
访问时间130ns工作温度-40°C ~ 85°C(TA)

FM24VN10-G手册

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FM24VN10-G概述

FM24VN10-G 产品概述

一、产品介绍

FM24VN10-G 是一款由Cypress(赛普拉斯)公司生产的高性能铁电体RAM(FRAM)存储器,具备非易失性存储能力,广泛应用于各种电子设备中。该存储器采用I²C接口,具有1Mb(128K x 8)的存储容量,适合需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。

二、技术规格

  • 存储器格式:FRAM(铁电体RAM)
  • 存储器类型:非易失性存储器
  • 存储接口:I²C
  • 存储容量:1Mb(128K x 8)
  • 访问时间:130ns
  • 时钟频率:最高可达3.4MHz
  • 电压供电范围:2V ~ 3.6V
  • 工作温度范围:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 封装类型:8-SOIC
  • 安装类型:表面贴装型

三、FRAM 技术优势

FRAM是一种新型的非易失性存储技术,其独特的磁电性使其在读写速度、耐久性和功耗方面超越传统的闪存和EEPROM。FM24VN10-G的访问时间仅为130ns,极大提高了数据访问速度,这使其在要求快速响应和高频率数据写入的应用场景中表现优异。相较于其他非易失性存储器,FRAM具备几千万次的写入循环寿命,几乎无需考虑磨损和数据丢失的问题,因此适合于频繁写入与读取的任务。

四、应用场景

FM24VN10-G因其独特的性能特点,广泛应用于传统的数据记录、嵌入式设备及各种高要求的储存应用。典型的应用领域包括:

  1. 智能仪表和传感器:在环境监测、电力监控等领域,需求迅速记录实时数据,FRAM提供了快速的数据写入速度并保持数据的持久性。

  2. 物联网设备:IoT设备通常需要在低功耗和广范围的工作温度下正常运行,FM24VN10-G能有效支持这些关键需求。

  3. 嵌入式系统:如智能家居控制器和自动化设备,FM24VN10-G可以作为配置和状态信息的存储介质。

  4. 汽车电子:在汽车系统中,尤其是安全和辅助驾驶应用中,可靠性与数据完整性至关重要,FM24VN10-G为汽车电子提供了强有力的支持。

  5. 医疗设备:在需要高可靠性与高耐久性的医疗设备中,FM24VN10-G可以用来保存重要的患者数据和设备配置。

五、总结

FM24VN10-G是一款稳定高效的铁电体RAM存储器,凭借其非易失性、快速的访问时间以及宽广的工作温度范围,适用于多种现代电子应用。凭借Cypress(赛普拉斯)在存储器领域的深厚积累,这款产品在市场上具有极强的竞争力。无论在这些产品中流畅的数据处理、可靠的数据保存,或是节能与高效的性能,此款FRAM存储器都将是理想的选择。

在发展快速变化的电子产品趋势下,选择适合的存储器如FM24VN10-G,是确保设备性能和高效运行的关键一步。