类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.6V | 电压 - 击穿(最小值) | 5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 20W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | 0201 |
ESDARF02-1BU2CK是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode,TVS),专为保护敏感电子元器件免受静电放电(ESD)和瞬态电压峰值的损害。这款二极管采用0201表面贴装型封装,适合高密度电路板设计,尤其是在消费电子、电信设备和网络设备等快速发展的领域。
ESDARF02-1BU2CK在多种工作环境下表现出色。其工作温度范围为-40°C至150°C,确保在极端条件下仍能正常工作。该器件的反向断态电压典型值为3.6V,最小击穿电压为5V,使其适合用于保护在这些电压值内工作的电子元器件。
在处理瞬态电压时,该二极管能够快速响应,具有高达1A的峰值脉冲电流承载能力,表明其在防止电压瞬变造成的损害方面具有可靠的性能。此外,峰值脉冲功率可以达到20W,这使得它在处理峰值过电压时具有较高的抗击能力。
ESDARF02-1BU2CK瞬态抑制二极管广泛应用于各类电子设备的保护,包括但不限于:
采用0201封装的ESDARF02-1BU2CK具有体积小、重量轻的优点,有助于设计紧凑的电子产品。此外,极低的电容特性(0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz)有效降低了信号失真,适用于高频信号线路的保护,确保了信号的清晰度和完整性。
ESDARF02-1BU2CK瞬态抑制二极管凭借其优异的电气性能和小巧的封装,成为电子设计师在电源和信号线路保护方面的重要选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,它都能提供卓越的保护性能,帮助设计师确保其产品的可靠性和耐用性。综上所述,ESDARF02-1BU2CK是高效、可靠且经济实用的瞬态电压抑制解决方案,适合各种高要求的应用场景。