ESDARF02-1BU2CK 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESDARF02-1BU2CK

商品编码: BM0041823523
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
0201
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
瞬态抑制二极管
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.452
按整 :
圆盘(1圆盘有15000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.452
--
200+
¥0.323
--
1000+
¥0.294
--
3750+
¥0.277
--
7500+
¥0.261
--
15000+
¥0.249
--
75000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESDARF02-1BU2CK参数

类型齐纳双向通道1
电压 - 反向断态(典型值)3.6V电压 - 击穿(最小值)5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)12V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)1A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲20W电源线路保护
应用通用不同频率时电容0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳0201(0603 公制)供应商器件封装0201

ESDARF02-1BU2CK手册

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ESDARF02-1BU2CK概述

ESDARF02-1BU2CK 产品概述

产品简介

ESDARF02-1BU2CK是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppression Diode,TVS),专为保护敏感电子元器件免受静电放电(ESD)和瞬态电压峰值的损害。这款二极管采用0201表面贴装型封装,适合高密度电路板设计,尤其是在消费电子、电信设备和网络设备等快速发展的领域。

基础参数

  • 类型: 齐纳
  • 双向通道: 1(提供双向保护)
  • 电压 - 反向断态(典型值): 3.6V
  • 电压 - 击穿(最小值): 5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 12V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A(8/20µs)
  • 功率 - 峰值脉冲: 20W
  • 电源线路保护: 无
  • 应用: 通用
  • 不同频率时电容: 0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz
  • 工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: 0201(0603 公制)

关键性能

ESDARF02-1BU2CK在多种工作环境下表现出色。其工作温度范围为-40°C至150°C,确保在极端条件下仍能正常工作。该器件的反向断态电压典型值为3.6V,最小击穿电压为5V,使其适合用于保护在这些电压值内工作的电子元器件。

在处理瞬态电压时,该二极管能够快速响应,具有高达1A的峰值脉冲电流承载能力,表明其在防止电压瞬变造成的损害方面具有可靠的性能。此外,峰值脉冲功率可以达到20W,这使得它在处理峰值过电压时具有较高的抗击能力。

应用领域

ESDARF02-1BU2CK瞬态抑制二极管广泛应用于各类电子设备的保护,包括但不限于:

  1. 消费电子: 智能手机、平板电脑和其他移动设备的USB接口和信号线路。
  2. 通讯设备: 网络交换机、路由器和基站设备,保护重要的信号传输线。
  3. 汽车电子: 车载信息娱乐系统和传感器线路,确保电子部件在高压瞬变情况下的安全。
  4. 工业设备: 自动化控制系统和电机驱动器,防止设备因电压尖峰而故障。

设计优势

采用0201封装的ESDARF02-1BU2CK具有体积小、重量轻的优点,有助于设计紧凑的电子产品。此外,极低的电容特性(0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz)有效降低了信号失真,适用于高频信号线路的保护,确保了信号的清晰度和完整性。

结论

ESDARF02-1BU2CK瞬态抑制二极管凭借其优异的电气性能和小巧的封装,成为电子设计师在电源和信号线路保护方面的重要选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制系统中,它都能提供卓越的保护性能,帮助设计师确保其产品的可靠性和耐用性。综上所述,ESDARF02-1BU2CK是高效、可靠且经济实用的瞬态电压抑制解决方案,适合各种高要求的应用场景。