类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 28V | 电压 - 击穿(最小值) | 31.6V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 44.7V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 13.4A |
功率 - 峰值脉冲 | 600W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
供应商器件封装 | DO-214AA(SMBJ) |
SMBJ28D-M3/H 是由威世半导体(VISHAY)生产的一款高性能齐纳二极管,主要用于瞬态电压抑制(TVS)应用。随着电子设备的复杂性提升,以及对电源保护需求的不断增加,TVS二极管在保护电路中扮演着至关重要的角色。SMBJ28D-M3/H 作为一款高峰值功率、反向击穿电压适中的二极管,适用于多种应用场景,尤其是在电源线路保护和过电压保护上。
SMBJ28D-M3/H 具有以下主要特性:
SMBJ28D-M3/H 的应用非常广泛,包括但不限于以下领域:
SMBJ28D-M3/H 使用DO-214AA(SMB)封装,适合表面贴装(SMD)应用,这种封装方式不仅体积小巧,还能有效降低PCB空间占用。其卷带和贴片包装形式使得在自动化生产过程中安装更为方便快捷,适合大规模生产。
作为一款高可靠性的瞬态电压抑制器,SMBJ28D-M3/H 以其出色的电压保护能力和宽广的工作温度范围,在众多电子设备中展现了强大的应用潜力。威世半导体凭借其先进的科技和严谨的生产流程,确保了SMBJ28D-M3/H 在高新技术应用中的稳定性和安全性。无论是消费电子、工业控制,还是汽车电子,SMBJ28D-M3/H 都能为设计师提供理想的解决方案。