FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A(Ta),58A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 毫欧 @ 35A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1260pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 55W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252AA |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
FDD8880 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,隶属于 ON Semiconductor(安森美)品牌,具有优秀的电气特性和稳定的工作性能。该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及高效能的电机驱动等领域。
FDD8880 具备强大的性能特性,广泛适用于多个领域:
FDD8880 显著的优势体现在以下几个方面:
FDD8880 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,专为不断提升电源性能和效率而设计。无论是在消费电子、工业应用,还是在电动车辆和可再生能源领域,FDD8880 都能够提供出色的性能表现,成为电源管理和电机驱动的理想选择。其卓越的参数和广泛的适用场景,使其在市场中占据一席之地,是设计工程师的首选器件之一。