FDD8880 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDD8880

商品编码: BM0041821388
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-252AA
包装 : 
编带
重量 : 
0.438g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 55W 30V 13A;58A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.42
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.42
--
100+
¥1.86
--
1250+
¥1.62
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

FDD8880参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)31nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1260pF @ 15V
功率耗散(最大值)55W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-252AA
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

FDD8880手册

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FDD8880概述

FDD8880 产品概述

1. 产品简介

FDD8880 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,隶属于 ON Semiconductor(安森美)品牌,具有优秀的电气特性和稳定的工作性能。该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及高效能的电机驱动等领域。

2. 关键参数

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):最高可达 30V,适合于低电压应用且具有较好的耐压能力。
  • 电流能力
    • 连续漏极电流(Id):在环境温度 25°C 时,最大可承载 13A,而在晶体管盒内的温度控制下可承受高达 58A,显示出其在高负载条件下出色的性能。
  • 驱动电压:适用于 4.5V 和 10V 的栅极驱动电压,能够满足不同应用场景下的需求。
  • 导通电阻(Rds(on)):在不同 Id 和 Vgs 条件下,最大导通电阻为 9 毫欧(@ 10V, 35A),确保低功耗和高效的导通能力。
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大 2.5V(@ 250µA),保证了在较低的控制电压下也能快速栅极开启。
  • 栅极电荷(Qg):最大 31nC(@ 10V),提供了快速开关能力。

3. 物理特性

  • 封装类型:TO-252AA(又称 DPAK),为表面贴装型封装,适合于自动化生产及小型化设计。
  • 封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63,满足多种安装需求。
  • 功率耗散:最大功耗为 55W(DPAK封装),能够承受高热负荷,适合高功率应用。
  • 工作温度范围:从 -55°C 到 175°C,极大地增强了其在恶劣环境下的适应能力。

4. 应用场景

FDD8880 具备强大的性能特性,广泛适用于多个领域:

  • 电源管理:可以用于开关电源、电源分配,以及其他形式的电源转换应用。
  • 电机驱动:在电动机控制、电动车辆和工业自动化中担当重要角色。
  • DC-DC 转换器:适合用于高效的电源转换系统,满足现代电子产品对于高效率和高密度的需求。
  • 电池管理系统:在可充电电池的管理与控制中也能够发挥其特有的优势。

5. 性能优势

FDD8880 显著的优势体现在以下几个方面:

  • 低导通电阻:降低了导通损耗,提升了整体效率,尤其适合高频应用。
  • 高功率处理能力:在高负载条件下依然能保持稳定的工作表现,适合严苛的应用环境。
  • 宽工作温度范围:能够在极端温度下稳定工作,为设计者提供了更大的设计灵活性。
  • 优异的开关特性:具有较低的栅极电荷和快速的导通/关断能力,适应高级能效需求。

6. 结论

FDD8880 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,专为不断提升电源性能和效率而设计。无论是在消费电子、工业应用,还是在电动车辆和可再生能源领域,FDD8880 都能够提供出色的性能表现,成为电源管理和电机驱动的理想选择。其卓越的参数和广泛的适用场景,使其在市场中占据一席之地,是设计工程师的首选器件之一。