DDTD142JU-7-F
DDTD142JU-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 470 Ohms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
DDTD142JU-7-F手册
DDTD142JU-7-F概述
产品概述：DTD142JU-7-F 数字晶体管
产品简介
DTD142JU-7-F 是一款高度集成的NPN数字晶体管，专为各种中低功率应用而设计。这款预偏置晶体管广泛应用于信号放大、开关作用以及其他数字电路中。它的表面贴装封装类型为SOT-323，便于在现代电子器件中进行高效的组装和集成。
基本参数和特性
晶体管类型: DTD142JU-7-F 是一种NPN型晶体管，具有预偏压特性，这使得它可以在较低的输入电流下实现良好的开关性能。
电流和电压特性: 该晶体管的集电极电流（Ic）最大值为500mA， 可承受的集射极击穿电压（Vce(max)）最高可达到50V。这种高耐压能力适用于各种电源电压条件，确保了良好的稳定性和可靠性。
增益特性: 在不同的Ic和Vce条件下，DTD142JU-7-F 均表现出出色的直流电流增益（hFE），在Ic为50mA时，hFE的最小值为56。这意味着在正常工作条件下，该晶体管能以适当的基极电流（Ib）强有力地控制集电极电流（Ic），从而提高电路的整体效能。
饱和压降表现: 在电流范围为2.5mA 至50mA， Vce的饱和压降（Vce(sat)）最大值为300mV，这意味着在开关操作中可以保持较低的功率损失和热损害，适合用于高效的开关电源设计。
功率与频率特性: 该元件的最大功率为200mW，其跃迁频率为200MHz，适合在高频信号应用环境下工作。这使其在无线通信、音频信号处理等场景中展现出出色的性能。
集电极截止电流: DTD142JU-7-F的最大集电极截止电流为500nA，显示出较低的漏电流特性，进一步提升了静态条件下的能源效率。
应用场合
DTD142JU-7-F 数字晶体管因其独特的性能和特性，适合广泛应用于：
开关电源: 利用其高效的开关性，广泛适用于电源管理和转换领域。
信号放大: 在音频和射频电路中，作为小信号的放大器，提升系统的信号质量。
数字电路: 用于逻辑门、振荡器及其他数字电路中，为实现电路的逻辑功能提供固有的操作稳定性。
消费电子: 用于各种消费电子设备中，如音响、电视以及信息技术设备等。
安装与兼容性
DTD142JU-7-F 采用SOT-323封装，具有优良的热性能，相对较小的体积使其非常适合于空间受限的应用。其表面贴装类型（SMD）还便于自动化生产，提高了组件组装的效率与精度。此外，由于该元件是主流类型晶体管，广泛兼容多种电路设计平台，便于替代和设计集成。
品牌与可靠性
作为DIODES（美台）品牌的产品，DTD142JU-7-F 具备高品质和高可靠性的特点。DIODES在电子元器件市场上以其卓越的设计和制程工艺而闻名，确保此系列产品在各种应用中的稳定性和持续性。
总结
总的来说，DTD142JU-7-F是一款性能优越、适应性强的NPN数字晶体管，具备良好的电流、电压和增益特性，适合于各种现代电子应用。这种集成的设计和小型化封装，使其成为工程师和设计师们在现代电路设计中的理想选择。无论是在商业领域还是消费电子产品中，这款数字晶体管都能提供卓越的性能与可靠性。