SI2301A-TP
SI2301A-TP参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880pF @ 6V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.5nC @ 4.5V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A | FET 类型 | P 通道 |
| Vgs（最大值） | ±8V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
SI2301A-TP手册
SI2301A-TP概述
SI2301A-TP 产品概述
产品简介
SI2301A-TP是一款高效能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有卓越的电气特性和工作稳定性，尤其适合于低电压应用及高频开关电路。该产品采用SOT-23-3封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于在空间受限的设计中实现高性能。
基本参数
漏源电压（Vdss）：SI2301A-TP的最大漏源电压为20V，适合用于低压供电的电子设备。
连续漏极电流（Id）：该器件在25°C时能够承受最大连续漏极电流为2.8A，确保在日常工作环境下能够稳定地传递电流。
导通电阻（Rds(on)）：在不同的漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下，该产品的最大导通电阻为120毫欧（在4.5V及2.8A时），此较低的导通电阻保证了设备在导通状态下的高效能及低功耗。
功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为1.25W，这一参数是其在设计系统冷却和热管理方面的重要考虑。
输入电容（Ciss）：在6V时，SI2301A-TP的最大输入电容为880pF，使其在高频应用中表现出更短的开关时间和更快的响应速度。
栅极电荷（Qg）：在4.5V条件下，该产品的最大栅极电荷为14.5nC，显示其在开关过程中的高效率，适合搭配低功耗驱动器。
工作温度范围：SI2301A-TP的工作温度范围极为广泛，能够在-55°C至150°C的环境条件下运行，因而适合用于严苛的工业和汽车应用场合。
Vgs（最大值）：本器件的栅源电压最大值为±8V，使其在各种负载条件下均能保持稳定的开关性能。
阈值电压（Vgs(th)）：不同Id下的Vgs(th)最大值为900mV（在250µA时），意味着该MOSFET能够在较低的驱动电压下导通，进一步增强设计灵活性。
应用领域
SI2301A-TP的出色性能使其在以下领域得到广泛应用：
电源管理：适用于开关电源、DC-DC转换器和功率管理电路。
低电压电路：适合LED驱动器、马达驱动电路等低电压应用。
嵌入式系统：由于其低功耗特性，该器件可广泛用于各类消费电子产品及智能设备，如智能家居产品、便携式设备等。
工业控制：在工业自动化及控制系统中，SI2301A-TP可用作驱动和开关器件，提升系统的响应速度与可靠性。
总结
SI2301A-TP是一款高效稳定的P沟道MOSFET，具备多种优异特性，能够在多种复杂应用环境中发挥作用。无论是电源管理、低电压电路，还是嵌入式系统，该器件都能够提供可靠的性能和优异的热管理，帮助工程师实现高效的电路设计，为电子产品的性能提升打下坚实的基础。选择SI2301A-TP，将为您的电子设计提供更大的灵活性和可靠性。