SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3 产品概述

1. 产品基本信息

SQD40P10-40L_GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET 晶体管，采用 TO-252 封装（也被称为 DPAK 封装），设计用于高频、高功率的开关和放大应用。该器件具有出色的电气性能，能够在恶劣环境中稳定工作，其最大功率耗散能力达到了 136W，漏源电压（Vdss）高达 100V，连续漏极电流达到 38A（Tc）。

2. 主要参数

• FET 类型：P 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 连续漏极电流（Id）：38A（Tc）
• 驱动电压：4.5V 和 10V
• 最大导通电阻（Rds(on)）：40毫欧 @ 8.2A，10V
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2.5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 144nC @ 10V
• 栅源最大电压（Vgs）：±20V
• 输入电容（Ciss）：最大值为 5540pF @ 15V
• 工作温度范围：-55°C 到 175°C
• 最大功率耗散：136W（Tc）

3. 应用领域

SQD40P10-40L_GE3 适用于多种应用场景，包括：

• 开关电源：由于其低导通电阻和高工作效率，该MOSFET非常适合用于开关电源设计中，能够提高系统的整体效率。
• 电机驱动：在高电流电机驱动配置中，使用该元器件可以实现更高的能量传递效率，降低系统发热。
• 电源管理：用于通信设备、电力设备和消费类电子产品中的电源管理模块，可以提供出色的电流控制。
• 高温环境应用：其广泛的工作温度范围使得该MOSFET能够在严苛的环境条件下正常工作，为高温环境下的应用提供了解决方案。

4. 设计特性

该 P 通道 MOSFET 的设计特点包括：

• 高功率处理能力：具有 136W 的功率耗散能力，能够适应高功率负载。
• 低 Rds(on)：通过优化结构设计，获得最低的导通电阻（40 毫欧），提升了功率效率并降低了热损耗。
• 宽电压范围：100V 的漏源电压能力使其能够在多种高压操作环境下工作的同时确保稳定性。
• 优良的热性能：其封装设计提供了卓越的散热性能，能够有效管理高功率运行中产生的热量。

5. 封装与安装

SQD40P10-40L_GE3 采用 TO-252-3 封装，具有良好的散热能力和易于表面贴装的特点。这种封装形式能够在有限的PCB空间内提供高效的电气连接，同时确保良好的热导性能，适应高频和高功率应用的需求。

6. 总结

总的来说，SQD40P10-40L_GE3 是一款高效率、高功率处理能力的 P 通道 MOSFET，适合于各种工业和消费类电子应用。其优越的性能参数、宽广的工作温度范围和高可靠性使其成为许多电子设计中的首选组件。VISHAY 作为知名电子元器件制造商，提供的 SQD40P10-40L_GE3 将为客户提供卓越的产品质量和技术支持，助力客户在各自领域内的创新与发展。