IPN60R3K4CEATMA1
IPN60R3K4CEATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 40µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 93pF @ 100V |
| FET 功能 | 超级结 | 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223 | 封装/外壳 | SOT-223-3 |
IPN60R3K4CEATMA1手册
IPN60R3K4CEATMA1概述
产品概述：IPN60R3K4CEATMA1 N通道MOSFET
一、产品简介
IPN60R3K4CEATMA1是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高电压、高效率的应用场合设计。该器件在600V的漏源电压下运行，能够承受持续的漏极电流达2.6A（使用条件为Tc）。其出色的规格使其在开关电源、逆变器、电机驱动等广泛的电力电子应用中具有显著竞争力。
二、主要参数
- 类型：N通道MOSFET
- 技术：超级结MOSFET，具备良好的导通和开关特性
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 持续漏极电流（Id）：2.6A（Tc）
- 最大导通电阻（Rds On）：3.4Ω @ 10V, 500mA
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大3.5V @ 40µA
- 总栅极电荷（Qg）：最大4.6nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大93pF @ 100V
- 功率耗散（Pd）：最大5W（Tc）
- 工作温度范围：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：SOT-223-3 表面贴装型
三、应用场景
IPN60R3K4CEATMA1适用于多种应用场景，特别是在高电压和高频率条件下的电源转换和管理。以下是一些典型应用：
开关电源（SMPS）：该MOSFET在开关电源中可作为主开关器件，通过其较高的耐压和低导通电阻特性，能够实现高效率的DC-DC变换，降低能量损耗。
逆变器：在太阳能逆变器和无间断电源（UPS）中，IPN60R3K4CEATMA1可用作能量转换的核心元件，支持高效能的电力转换。
电机驱动：此MOSFET能够支持各种电机控制与驱动应用，特别是在需要快速开关和高耐压的环境下表现优异。
电池管理系统：在电池充放电过程中，MOSFET的高效开关特性能够有效调节充电和放电过程中的电压与电流。
四、优越特性
高耐压和高电流能力：600V的Vdss能够满足多种工业应用的高压要求，而2.6A的Id保证了器件在实际工作中的可靠性。
优异的导通性能：较低的Rds On（最大3.4Ω）意味着电路中的能量损耗最小化，提高了整体电路的效率。
宽工作温度范围：产品在-40°C至150°C的工作温度范围内保持稳定性能，适合在苛刻环境下运行。
紧凑的封装设计：SOT-223-3封装使得其在电路板上占用更小的空间，便于密集的布局设计。
五、总结
IPN60R3K4CEATMA1 N通道MOSFET不仅拥有良好的性能指标和广泛的应用适应性，同时也体现了英飞凌在功率半导体领域的技术优势。其卓越的导通特性、高耐压能力与适应恶劣环境的能力，使其成为设计高效能电源管理与转换系统必不可少的元件。无论是在新产品开发还是现有产品升级中，IPN60R3K4CEATMA1都是一个值得信赖的选择。