NVMFS5C682NLAFT1G

产品概述：NVMFS5C682NLAFT1G

概述

NVMFS5C682NLAFT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，适用于汽车及工业应用，符合 AEC-Q101 认证标准，保证其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。该器件在表面贴装技术（SMD）中具有广泛的应用，通过具备优越的导通性能和热管理能力，适合用于高效率的电源管理、开关电源、马达驱动和电动汽车等领域。

技术参数和性能特点

1. 基本参数：

   • 制造商：ON Semiconductor
   • 系列：汽车，符合 AEC-Q101 认证
   • 零件状态：有源
   • 封装：5-DFN (5x6) 或 8-SOFL
   • 安装类型：表面贴装型

2. 电气性能：

   • 最大漏源电压 (Vdss)：60V，这为该器件提供了良好的耐压能力，适应多种应用需求。
   • 连续漏极电流 (Id)：在环境温度下（Ta = 25°C）可达 8.8A，提升至 Tc（晶体管温度）时可达到 25A，显示出该 MOSFET 的卓越电流处理能力。
   • 最大功率耗散：在 Ta = 25°C 时为 3.5W，Tc 时可提高至 28W，这进一步支持了其在高电流环境下的应用。

3. 导通电阻：

   • Rds(on)：在 Vgs = 10V 且 Id = 10A 时，导通电阻最大值为 21 毫欧，这使得该 MOSFET 在开关损失方面表现优越，有助于提高系统的效率。

4. 阈值电压和驱动电压：

   • Vgs(th)（门-源阈值电压）：最大值为 2V @ 16µA，表明该器件在较低的门电压下便能开启，为高效操作提供便利。
   • 最大栅极驱动电压：±20V，此设计考虑了栅极安全性，避免高电压驱动导致的损坏。

5. 电容特性：

   • 栅极电荷 (Qg)：最大值为 5nC @ 10V，这表明该器件具备较低的栅极驱动能量要求，有助于降低驱动电路复杂性，减少功耗。
   • 输入电容 (Ciss)：最大值为 410pF @ 25V，配合其低电荷特性，助于改善开关性能，适用于高频应用。

6. 温度范围：

   • 工作温度：-55°C ~ 175°C，此宽广的温度范围使该 MOSFET 在极端环境下的应用更具可靠性，尤其适合于汽车行业中可能遇到的各种温度条件。

应用场景

NVMFS5C682NLAFT1G 在众多应用领域表现出色，特别是在以下几个领域中尤为突出：

• 汽车电子：可用作电动力系统中的开关元件，控制电机、驱动系统及电池管理，适合电动汽车及混合动力汽车的动力转换。
• 电源管理：在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，NVMFS5C682NLAFT1G 能够提供高效的能量转换，降低功耗，提升系统整体效率。
• 马达驱动：作为马达驱动电路中的开关元件，其高容量和低导通电阻特性，能够有效提高马达驱动效率，改善运行性能。

结论

NVMFS5C682NLAFT1G 是一款集高性能、可靠性和稳定性于一体的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能和广泛的应用范围，专为应对现代汽车和工业应用的挑战而设计。ON Semiconductor 在电子元器件领域的专业技术和不断创新的研发能力，确保了该产品在复杂应用环境中的卓越表现，使其成为市场上值得信赖的选择。