IPN70R1K4P7S

IPN70R1K4P7S 产品概述

一、产品概述

IPN70R1K4P7S 是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道增强型场效应管（MOSFET），其设计工作电压可达700V，最大持续电流为4A。该器件采用PG-SOT223封装类型，具有优良的热性能和电气特性，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、辅助电源和各类高电压电流控制应用。

二、技术参数

• 绝对最大额定值

  • Vds（漏源电压）：700V
  • Id（漏电流）：4A
  • Pd（功耗）：6.2W
  • Tj（结温范围）：-55℃至+150℃

• 电气特性

  • Rds(on)（导通电阻）：非常低，通常在额定电压下提供优良的导通性能，降低了功率损耗和发热。
  • Qg（总门电荷）：具备较低的驱动电压，适合快速开关用途。

• 封装信息

  • 封装类型：PG-SOT223
  • 尺寸：SOT-223 封装小巧，便于在空间受限的电路中应用。

三、应用场景

1. 开关电源（SMPS）

   • IPN70R1K4P7S 可用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高压额定值和良好的电气特性使其适合在输出级进行高效切换。

2. 电机驱动

   • 该MOSFET可用于驱动各类电机，尤其在需要调速和控制电机转矩的场合。它的高电流处理能力保证了驱动过程中的可靠性。

3. 直流电源管理

   • 可用于电源适配器、充电器，尤其是需要高电压和高效率的应用中。

4. LED驱动

   • 由于其快速开关特性，IPN70R1K4P7S 可以在LED驱动电路中实现高效控制，对延长LED寿命和提升光效有积极影响。

四、性能优势

• 高电压处理能力：支持高达700V的工作电压，确保能够满足大多数工业和消费类应用中的高电压需求。

• 低导通电阻：有效降低打开状态下的功耗，有助于改善整体能效表现。

• 良好的热处理性能：PG-SOT223 封装提供优良的散热效果，适合各种温度环境下可靠工作，增强了器件长期运行的稳定性。

• 快速开关速度：适应快速脉冲工作，适合开关频率较高的应用，减小成品体积和降低损耗。

五、结论

IPN70R1K4P7S 是一款为高电压应用设计的高性能N沟道MOSFET，提供了出色的电气性能，不仅具有高工作电压和低导通电阻的优势，还在多种应用中展现了稳定的可靠性。凭借其良好的热管理能力和快速开关特性，该MOSFET 特别适用于需要高效能电源转换和电流控制的应用，如开关电源、电机驱动和LED驱动系统。选择IPN70R1K4P7S，可为您的设计提供强大的性能和优越的应用支持。