安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 1V,1MHz |
二极管类型 | 肖特基 | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
电流 - 平均整流 (Io) | 200mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 800mV @ 100mA |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 30V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2µA @ 25V | 反向恢复时间 (trr) | 5ns |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
BAT54XV2T1G 是一款高性能的肖特基二极管,由知名电子器件制造商安森美(ON Semiconductor)生产。凭借其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,这款器件被广泛应用于各种电子设备和系统中,如电源管理、信号整流、保护电路及高频应用等。
肖特基二极管特性 BAT54XV2T1G采用了肖特基二极管的设计理念,相较于传统二极管,肖特基二极管具有更低的正向电压降和更快的切换速度。具体来说,该产品在100mA的条件下,其正向电压(Vf)仅为800mV,能够有效降低功耗并提升可靠性。
电流与反向电压 此器件的平均整流电流(Io)为200mA(DC),最大反向电压(Vr)可达到30V。这使得BAT54XV2T1G非常适合于需要较高整流效率和稳定性的电路应用,同时其反向电流(2µA @ 25V)在保证元件正常运作的情况下,进一步减少了电路的能量损耗。
开关速度与反向恢复时间 BAT54XV2T1G的小信号速度设计相应于≤200mA(Io),其反向恢复时间(trr)仅为5ns。这意味着该器件能够在高频应用中维持优异的性能表现,适合用于需要快速切换的电源设计。
电容特性 该器件的电容在不同的反向电压(Vr)和频率(F)下,其电容值为10pF(@1V,1MHz),这使得它在高频应用中能保持较低的寄生电容,有助于提升电路的整体性能。
温度范围 BAT54XV2T1G的工作结温范围为-55°C至125°C,使其在各种严苛环境中依然保持出色的性能。这种宽温度范围使得该器件成为高温和低温应用的理想选择,能够在汽车电子、工业控制及消费电子等领域中得到广泛应用。
封装与安装 该器件采用SOD-523封装,表面贴装类型设计对于现代电子产品的发展趋势极为适合。SOD-523封装不仅可以节省面积,还能够提高装配效率。同时,良好的散热性能使得其在高负荷工作下依然保持稳定性。
BAT54XV2T1G广泛应用于以下领域:
总体来说,BAT54XV2T1G是一款涵盖多种应用需求的优质肖特基二极管,具备低正向电压、快速切换速度和宽温度范围的优秀特性,非常适合于现代电子设备的设计需求。作为ON Semiconductor的产品,BAT54XV2T1G将为工程师和设计师提供可靠的解决方案,助力高效、高稳定性的电子系统开发。