STF100N10F7

STF100N10F7 产品概述

STF100N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）公司设计和制造的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有广泛的应用领域，包括电源管理、DC-DC转换器和电动机控制等。这款器件的性能特点使其在高电压和高电流环境下都表现优异，适合于对功率要求较高的电子电路。

电气特性

STF100N10F7 的主要电气参数包括：

• 漏源电压(Vdss): 该器件的漏源电压可高达100V，使其能够在高电压的应用场景中使用。
• 连续漏极电流(Id): 该MOSFET能够承受最大连续漏极电流为45A（工作环境温度Tc=25°C），非常适合需要高电流的应用。
• 栅源电压(Vgs): 最大的栅源电压为±20V，这保证了其在控制信号和驱动电路的兼容性。
• 导通电阻(Rds(on)): 在10V的驱动电压下，当漏极电流为22.5A时，最大导通电阻为8毫欧，这意味着较低的开关损耗和高效的功率传输。
• 阈值电压(Vgs(th)): 在漏极电流为250µA时的阈值电压最大为4.5V，这使得器件能够在较低的控制电压下进行导通，从而提高驱动电路的灵活性。
• 输入电容(Ciss): 在50V的漏源电压下，输入电容的最大值为4369pF，这在高频操作中是一个重要参数，影响开关速度和功率损耗。

动态特性与温度特性

STF100N10F7 的栅极电荷(Qg)在10V时最大为61nC，这对于高频开关应用的驱动电路设计非常关键，较佳的栅极电荷特性可以提高开关速度，降低驱动功耗。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，适合在严苛环境中使用，具有较高的环境适应能力。

封装与散热

该器件采用TO-220-3封装，具有较好的散热性能，能够有效降低在高功率应用中的工作温度。STF100N10F7的最大功率耗散为30W（环境温度Tc），这使得它非常适合用于高功率密度的设计。

应用领域

STF100N10F7 MOSFET广泛应用于各种电子产品中，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）: 用于电力转换和调节，提高电源的效率。
• 电动机驱动: 提供高效的电源管理和控制，适合于电动机控制器。
• DC-DC转换器: 在转换器中扮演开关角色，进行电压转换，同时低导通电阻确保高效率。

总结

STF100N10F7以其高电压、高电流承载能力、优秀的导通性能和广泛的工作温度范围，为各种电力电子应用提供了理想的解决方案。其通过TO-220封装的设计，便于在电路中集成，并且确保良好的散热性能。这款高品质的MOSFET使工程师能够在设计中实现更高的效率和可靠性，适应多种工况需求。对于寻求高效能N通道MOSFET解决方案的工程师，STF100N10F7无疑是一个值得考虑的选项。