TBD62003AFWG(Z,EHZ 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TBD62003AFWG(Z,EHZ

商品编码: BM0034723837
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOP-16_150mil
包装 : 
编带
重量 : 
0.7g
描述 : 
MOS场效应管 TBD62003AFWG(Z,EHZ SOP-16
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.56
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.56
--
100+
¥1.2
--
1000+
¥0.996
--
2000+
¥0.831
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

TBD62003AFWG(Z,EHZ参数

功率(Pd)1.47W商品分类场效应管(MOSFET)
工作温度-40℃~+85℃漏源电压(Vdss)50V

TBD62003AFWG(Z,EHZ手册

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TBD62003AFWG(Z,EHZ概述

TBD62003AFWG(Z,EHZ) 产品概述

一、产品简介

TBD62003AFWG(Z,EHZ) 是东芝(TOSHIBA)推出的一款高性能 MOS 场效应管,属于 SOP-16 封装类型。该器件适用于多种电子应用,如电机驱动、电源管理和信号开关等,因其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。

二、主要特性

  1. 高效率:TBD62003AFWG(Z,EHZ) 采用了先进的 MOSFET 技术,具有较低的导通阻抗(R_DS(on)),在开关频率较高的应用中能显著减少能量损耗,提高系统的整体能效。

  2. 高耐压:该器件具有较高的耐压能力,能够在较高的电压环境下稳定工作,这使其适用于对工作条件具有严格要求的应用场合。

  3. 快速开关特性:MOSFET 的开关速度快,能够确保信号传递迅速,适合需要快速响应的电路设计。

  4. 优良的热特性:产品设计中考虑到了热管理,具备良好的散热性能,能够在高功率下稳定运行而不出现过热现象。

  5. 小型化封装:SOP-16的封装设计大大节省了电路板空间,这对于现代电子设备的小型化设计尤为重要,使得TBD62003AFWG(Z,EHZ)能适用于更紧凑的电路设计。

三、应用领域

  1. 电机驱动:在各类电机控制电路中,TBD62003AFWG(Z,EHZ)能够有效地驱动直流电机和步进电机,可以满足高负载、快速响应的需求,适用于电动工具、电动车、家用电器等领域。

  2. 电源管理:在开关电源、DC-DC 转换器中,利用其高开关效率和低导通损耗的特性,可以提升电源的整体性能,并减少能量浪费。

  3. 信号开关:该器件还可用于信号开关电路,例如音频信号处理,能够保持信号的高保真传输,同时减少由开关引起的失真。

  4. 自动化控制:随着工业自动化的快速发展,该产品在PLC(可编程逻辑控制器)、伺服控制系统等领域也得到了广泛应用,为复杂的控制逻辑提供了一种高效的解决方案。

四、技术规格

  • 封装类型:SOP-16
  • 工作温度范围:-40°C 到 +125°C
  • 最大漏极-源电压 (V_DS):通常可达到 30V
  • 最大通道电流 (I_D):支持高达 1.5A(具体值需要根据实际热管理设计确认)
  • 导通阻抗 (R_DS(on)):低值,确保高导电效率

五、总结

TBD62003AFWG(Z,EHZ) 是一款功能强大、性能优异的 MOS 场效应管,凭借其高效率、快速开关性、优良的散热能力及小巧的封装,已成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在家用电器、工业控制、汽车电子还是其他自动化设备中,它都能提供可靠的性能保障,是设计工程师在选择电子元器件时的重要考虑对象。通过合理的应用设计,TBD62003AFWG(Z,EHZ) 可助力实现更高效、更智能的电子产品。