功率(Pd) | 130W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 380pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 75nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.4nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 120A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
NCE40H12 产品概述
概述
NCE40H12是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其在电力电子应用中表现出了卓越的性能。其主要规格包括额定功率为130W,工作电压为40V以及容量高达120A。采用TO-220封装,使其在散热和安装上均具有良好的适应性。这款电源元器件广泛适用于开关电源、电机驱动、LED驱动和其他高功率应用,满足工业和消费电子市场的需求。
产品特性
高功率和高电流能力:NCE40H12的130W功率和120A电流能力,使其能够处理大功率设备的需求,适用于高性能电机控制和电力转换系统。
低导通电阻:该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),通常在数毫欧姆级别,意味着在开关过程中能量损耗极低,提高了电源的整体效率,并减少了发热现象。
高开关速度:NCE40H12采用先进的制造工艺,提供优越的开关速度,适合高频开关电源应用。快速的开关特性不仅提高了电源效率,还减小了电磁干扰(EMI),使系统更为稳定。
耐高温性能:该产品具有良好的热稳定性和耐高温性能,适合于复杂和严苛的环境,确保在各种应用场合下的可靠运行。
TO-220封装:TO-220封装设计使得NCE40H12在散热方面具有良好表现,可以方便地与散热器结合,确保MOSFET在大功率和高热环境下的稳定工作。这种封装也方便了电路板的设计和组装过程。
应用领域
NCE40H12在多个领域中有着广泛应用,包括但不限于下列方面:
开关电源:在电源转换与调节中,NCE40H12可以作为高效的开关元件,辅助实现高开关频率和高效率转化,适用于各种电源适配器和电力管理模块。
电机驱动控制:该MOSFET非常适合用于电机驱动电路中,能够实现高效的电机控制,适用于电动工具、家电及工业设备等各种场景。
LED驱动器:NCE40H12能够为LED照明系统提供稳定可靠的电流控制,提升系统的整体效率和延长LED的使用寿命。
电源管理和调节:在电力管理和调节电路中,NCE40H12可被广泛用于DC-DC转换器、升压/降压电路等,为电能调节提供精准的控制。
结论
综上所述,NCE40H12作为一款高性能的N沟道MOSFET,以其优秀的电气特性和可靠的性能,能够满足现代电子设备和高功率应用的各项需求。其在开关电源、电机驱动和LED等领域中的广泛应用,进一步证实了其市场的认可度和价值。无论是在设计阶段还是在具体应用中,NCE40H12都是值得信赖的选择,为各种电子项目的成功提供了坚实的硬件基础。