FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 375 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1100pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
STP15N80K5 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 通道 MOSFET,其为现代电子电路设计提供了可靠的功率管理解决方案。该元器件具备出色的电气性能,特定应用中可实现高效能和高可靠性,是在电源转换、开关电源、逆变器及电机驱动等领域的理想选择。
STP15N80K5 的关键电气参数包括:
STP15N80K5 采用TO-220封装,这种封装形式不仅便于通孔安装,还提供了良好的散热性能。TO-220 封装内置散热片,可直接与散热器接触,有助于元器件在高负载和高温环境下的稳态操作,确保效率最大化和器件寿命延长。
由于其高耐压、高电流承载能力及优异的热管理性能,STP15N80K5 在众多应用中展示了广泛的适用性,具体应用包括:
STP15N80K5 作为意法半导体的高品质产品,结合了高电压承受能力、低导通电阻和高电流承载能力,其性能指标使其在功率开关和转换应用中极具竞争力,特别是在需要高效率和高性能的环境下。
STP15N80K5 N 通道 MOSFET 在电力电子领域提供了兼具性能与耐用性的解决方案。凭借其强大的参数特性和广泛的应用场景,STP15N80K5 无疑是提升电子设计可靠性和效率的一个出色选择。对于设计师和工程师而言,选择 STP15N80K5 将为其项目赋予更强的性能和稳定性。