安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 0.95 毫欧 @ 20A,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 71A(Ta),200A(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7036pF @ 15V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 145nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 功率耗散(最大值) | 7.3W(Ta),83W(Tc) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
AON6500 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,封装尺寸为 8-DFN (5x6 mm)。该器件专为需要高功率处理和紧凑空间设计的电子应用而设计,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换、马达驱动和其他高效能电源设计中。
AON6500 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适合于极端环境下的使用。这种广泛的温度适应性保证了其在各种工业应用中的可靠性和稳定性。
AON6500 的高电流承载能力、低导通电阻和良好的热特性,使其成为以下应用的理想选择:
相较于其他同类产品,AON6500 提供了更低的导通电阻和更高的电流承受能力,使得其在电源效率和热管理方面表现出色。同时,其小型化的封装设计(DFN-8(5x6))能够更好地满足现代电子产品对空间和散热的严格要求。
综上所述,AON6500 是一款具有高电流承受能力和低导通电阻的 N 通道 MOSFET,适合多种高效能电源和驱动应用。凭借其优秀的性能和可靠性,AON6500 无疑是设计师在选择高效功率开关器件时的理想选择。
选择 AON6500,您将拥有更高的性能、更低的功耗和更好的系统稳定性。