DMN2004VK-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN2004VK-7B

商品编码: BM0033539367
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 20V SOT-563
库存 :
3990(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.463
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.463
--
500+
¥0.31
--
4000+
¥0.269
--
8000+
¥0.24
--
80000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2004VK-7B参数

功率(Pd)250mW商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@1.8V,350mA工作温度-55℃~+150℃
漏源电压(Vdss)20V类型2个N沟道

DMN2004VK-7B手册

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DMN2004VK-7B概述

产品概述:DMN2004VK-7B

1. 基本信息

DMN2004VK-7B 是一款高效能的 N 通道场效应管 (MOSFET),由知名品牌 DIODES (美台) 生产。该元器件采用 SOT-563 封装,适用于低电压和低功耗的应用。其最大工作电压为 20V,使其在诸如电源管理、开关电路和信号调理等多种电子应用中具有良好的适应性。

2. 封装与物理特性

DMN2004VK-7B 采用 SOT-563 封装,这种封装形式小巧,尺寸紧凑,适合高密度的电路板设计。封装的优势在于能够有效降低 PCB 面积,提高系统集成度。此外,SOT-563 封装还拥有良好的热管理特性,可以有效散热,保证 MOSFET 在高负载条件下的可靠性和稳定性。

3. 电气特性

此款 MOSFET 拥有以下重要电气特性:

  • 最大漏极源极电压 ((V_{DS})): 20V,适合低电压应用。
  • 最大漏极电流 ((I_D)): 可承受高达 3.5A 的连续电流,满足多种应用需求。
  • 栅源阈值电压 ((V_{GS(th)})): 使该元器件能够在较低的栅电压下实现开关操作,提高了控制灵活性。
  • 导通电阻 ((R_{DS(on)})): 具有较低的导通电阻,有助于在开关状态下降低功耗,提高效率。

4. 性能优势

DMN2004VK-7B 的设计使其具备以下优势:

  • 低功耗: 由于其较低的导通电阻和高效的开关性能,此 MOSFET 在工作过程中能够显著降低功耗,适合绿色电子产品及电池供电的便携设备。
  • 高频开关能力: 该 MOSFET 在高频开关条件下表现出色,对于需要快速开关和快速响应的应用场景,如 DC-DC 转换器,电机驱动等,展现出良好的性能。
  • 热稳定性: 在连续工作条件下,DMN2004VK-7B 的热管理性能表现优异,有效防止过热导致的损坏或失效。

5. 应用领域

DMN2004VK-7B 适用于多种应用,包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源 (SMPS)、电池管理系统 (BMS) 和光伏逆变器中,广泛用于功率开关与调节。
  • 电机驱动: 在电动工具、电动车及家用电器中,作为驱动电路的关键元器件,用于控制电机的启停及速度调节。
  • 消费电子: 在手机、笔记本电脑及其他智能设备中,用于电源开关和负载管理。
  • LED 驱动: 在 LED 照明系统中,用于实现高效的开关驱动。

6. 结论

总之,DMN2004VK-7B 是一款具备高性能和高可靠性的 N 通道 MOSFET,凭借其 20V 的最大电压和优异的电气特性,适合广泛的应用场合。无论是在电源管理、信号调理还是电机控制等领域,该 MOSFET 都能够以其卓越的性能满足现代电子设备对高效能和低功耗的需求。随着电子技术的不断发展,DMN2004VK-7B 在未来的应用前景广阔,是工程师在设计电子系统时值得关注的重要元器件。