安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 158nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.6V @ 15V,40A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 1mJ(开),1.32mJ(关) |
测试条件 | 600V,40A,10 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 468W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 18ns/152ns | 反向恢复时间 (trr) | 488ns |
STGWA40H120DF2 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一种高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用行业标准的TO-247-3封装,适用于各种高功率应用。这款IGBT的额定集电极电流高达80A,具有1200V的集射极击穿电压,能够有效应对高电压、大电流的电源管理需求,适用于工业驱动、电机控制、新能源转换和可再生能源系统等领域。
STGWA40H120DF2 适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
在设计使用 STGWA40H120DF2 的电路时,应考虑其开关特性与热特性,以确保设备在工作过程中的可靠性和高效性。合理的散热设计以及选择合适的驱动电路,以充分发挥该器件的性能,同时避免因高温而导致的失效。此外,电路的其他元器件(如电阻、电容和二极管)也应与IGBT的特性相匹配,以优化整体性能。
STGWA40H120DF2 作为一款高性能IGBT,凭借其出色的电气特性和可靠性,能够满足现代高电压大电流电力电子应用的需求。无论是用于工业控制、能源转换还是电动车充电领域,该器件都能提供卓越的性能和高效能,为电力电子系统的优化和设计提供了强有力的支持。