STGP20M65DF2 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STGP20M65DF2

商品编码: BM0033537540
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220
包装 : 
管装
重量 : 
2.8g
描述 : 
IGBT管/模块 STGP20M65DF2 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.76
按整 :
管(1管有50个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.76
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGP20M65DF2参数

IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)40A电流 - 集电极脉冲 (Icm)80A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,20A功率 - 最大值166W
开关能量140µJ (开),560µJ (关)输入类型标准
栅极电荷63nC25°C 时 Td(开/关)值26ns/108ns
测试条件400V,20A,12 欧姆,15V反向恢复时间 (trr)166ns
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220

STGP20M65DF2手册

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STGP20M65DF2概述

STGP20M65DF2 产品概述

一、引言

STGP20M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用沟槽型结构设计,具有优良的开关性能和高耐压特性,适用于多种高电压和高电流应用场景。这款IGBT具有优良的导通特性和较低的开关损耗,广泛应用于电动机驱动、逆变器、开关电源和其他功率转换设备中。

二、基本参数

  • 类型: 沟槽型场截止IGBT
  • 最大集射极击穿电压 (Vces): 650V,能够在高电压环境下稳定工作,确保设备的可靠性。
  • 集电极最大电流 (Ic): 40A,能够承受较大的载流能力,适合于需要较高电流的工业应用。
  • 脉冲集电极电流 (Icm): 80A,提供了良好的短时过流能力,能适应瞬态负载变化。
  • 导通电压 (Vce(on)): 在标准测试条件下,Vge = 15V,Ic = 20A,最大值为2V,显示出良好的导通特性。
  • 最大功率: 166W,确保器件在高功耗环境下的操作。
  • 开关能量: 开关时的能量损耗为 140µJ(开启)以及 560µJ(关闭),指示其在转换过程中的高效性。
  • 输入类型: 标准,易于集成到各种驱动电路中。
  • 栅极电荷 (Qg): 63nC,适合用于快速开关应用,可以提升开关频率。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,适应性广,可以在高温环境下正常工作。

三、动态特性

STGP20M65DF2 的开关动态特性非常突出,其在 25°C 下的开关延迟时间(Td)为 26ns,而关断延迟时间(Td)为 108ns。这一优异的动态性能确保了在高频率操作时,能够保持较低的切换损耗,从而提高整体系统效率。同时,其反向恢复时间 (trr) 为 166ns,为高频转换提供了保证。

四、封装与安装

STGP20M65DF2 采用 TO-220 封装,适合通孔安装,便于散热和电路集成。这种封装形式在功率器件中非常常见,易于处理并且可以有效保证器件的热管理和电气性能。

五、应用领域

STGP20M65DF2 在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:

  • 电力电子设备: 主要用于逆变器和转换器中,用于实现高效电力转换和控制。
  • 电动机驱动: 在电动机控制中,可以实现精确的速率和扭矩控制,广泛应用于工业驱动和电动车辆。
  • 开关电源: 由于其高效率和良好的负载能力,STGP20M65DF2 也适合于开关电源中,以实现更高的能量转换效率。

六、总结

STGP20M65DF2 是一款高效、稳健的IGBT器件,其出色的电气性能和高可靠性使其在现代电力电子系统中至关重要。适用范围广泛,可以在多种复杂的电力控制应用中获得优异表现。无论是在工业应用还是消费类电子产品中,这款IGBT都是实现高效电力管理和转换的理想选择。