IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 40A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,20A | 功率 - 最大值 | 166W |
开关能量 | 140µJ (开),560µJ (关) | 输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 63nC | 25°C 时 Td(开/关)值 | 26ns/108ns |
测试条件 | 400V,20A,12 欧姆,15V | 反向恢复时间 (trr) | 166ns |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220 |
STGP20M65DF2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用沟槽型结构设计,具有优良的开关性能和高耐压特性,适用于多种高电压和高电流应用场景。这款IGBT具有优良的导通特性和较低的开关损耗,广泛应用于电动机驱动、逆变器、开关电源和其他功率转换设备中。
STGP20M65DF2 的开关动态特性非常突出,其在 25°C 下的开关延迟时间(Td)为 26ns,而关断延迟时间(Td)为 108ns。这一优异的动态性能确保了在高频率操作时,能够保持较低的切换损耗,从而提高整体系统效率。同时,其反向恢复时间 (trr) 为 166ns,为高频转换提供了保证。
STGP20M65DF2 采用 TO-220 封装,适合通孔安装,便于散热和电路集成。这种封装形式在功率器件中非常常见,易于处理并且可以有效保证器件的热管理和电气性能。
STGP20M65DF2 在多个领域具有广泛的应用,包括但不限于:
STGP20M65DF2 是一款高效、稳健的IGBT器件,其出色的电气性能和高可靠性使其在现代电力电子系统中至关重要。适用范围广泛,可以在多种复杂的电力控制应用中获得优异表现。无论是在工业应用还是消费类电子产品中,这款IGBT都是实现高效电力管理和转换的理想选择。