功率(Pd) | 300mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 12pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10Ω@5V,0.100A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 50V |
类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 45pF |
连续漏极电流(Id) | 130mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@1mA |
产品描述: BSS84DWQ-7是一款高性能的P沟道MOSFET,封装为紧凑的SOT-363,适用于各种电子应用。该MOSFET的额定功率为300mW,最大额定电压为50V,最大漏电流为130mA。这种设计使得BSS84DWQ-7特别适合于空间有限的应用场景,同时又能保证可接受的电流和电压范围,使其成为电源开关、负载开关和信号传输等电路中的理想选择。
厂家信息: 该元器件由美台公司(DIODES)生产,DIODES是一家在全球范围内备受推崇的半导体制造商,以其高品质的产品和创新设计闻名。DIODES不仅在MOSFET领域占有一席之地,还提供各种其他电子元器件,使其能够满足广泛的市场需求。
技术规格:
应用场景: BSS84DWQ-7因其优秀的电气特性,使其在多个应用领域中极具吸引力,以下是其主要应用场景:
优势和特点:
总结: BSS84DWQ-7是一款功能强大的P沟道MOSFET,适合广泛的电子应用。凭借其卓越的技术规格和可靠性,BSS84DWQ-7承诺提供卓越的电气性能和长效的使用寿命。无论是在专业领域还是消费领域,该产品都为设计工程师提供了灵活的解决方案,能够满足现代电子设备对高效、可靠和小尺寸组件的需求。选择BSS84DWQ-7,将有助于提升产品的整体性能与市场竞争力。