DMN6040SE-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN6040SE-13

商品编码: BM0033536503
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 5A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
1694(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.62
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.62
--
100+
¥1.24
--
1250+
¥1.05
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN6040SE-13参数

功率(Pd)1.2W反向传输电容(Crss@Vds)44pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,12A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)22.4nC
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.287nF@25V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

DMN6040SE-13手册

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DMN6040SE-13概述

产品概述:DMN6040SE-13

DMN6040SE-13是一款由DIODES公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计特性使其成为众多电子应用中非常理想的解决方案。该MOSFET具有卓越的性能,广泛应用于开关电源、负载驱动、马达控制及其他需要高效率和高可靠性的场合。

主要参数

  • 功率:1.2W
  • 最大漏极-源极电压(V_DS):60V
  • 最大漏极电流(I_D):5A
  • 封装类型:SOT-223-3
  • 器件类型:N沟道MOSFET

关键特性

  1. 电流和电压能力:DMN6040SE-13可承受高达5A的连续漏极电流,并能在最高60V的漏极源极电压下稳定工作,适合多种高电压及高电流的应用场景。

  2. 低导通电阻:该MOSFET具备低导通电阻(R_DS(on)),这意味着在工作时将极大降低功耗和热量产生,提升系统的整体能效,尤其在高频和高效能的开关电源电路中表现尤为出色。

  3. 快速开关速度:DMN6040SE-13的开关速度快,通常适用于频率响应要求较高的应用。在需要频繁切换的电路中,快速的响应特性能够有效提高系统的工作效率和控制精度。

  4. 可靠性:产品经过严格的质量控制,具备良好的热性能和电气特性,确保在苛刻环境下也能稳定运行。封装设计帮助提升散热能力,增强器件的可靠性和使用寿命。

  5. 封装设计:采用SOT-223-3封装,小型化设计非常适合空间有限的现代电子设备。这种封装方式不仅提高了电路板的设计灵活性,还便于自动化贴装,大幅降低生产成本。

应用领域

DMN6040SE-13的应用范围极为广泛,以下是一些典型应用示例:

  • 开关电源:在开关电源设计中,DMN6040SE-13可以被用作开关元件以实现高效能量转换,通常用于笔记本电脑电源适配器、高效LED驱动电源和其他电源模块。

  • 电机控制:该MOSFET可用于直流电机的驱动电路,能够有效调节电机的速度和功率,广泛应用于自动化设备、机器人以及电动车辆驱动系统。

  • 负载开关:与微控制器或其他逻辑电路结合使用时,可作为负载开关实现设备的启停控制,常见于家用电器、工业设备和灯光控制系统。

  • RF应用:由于其优越的开关速度,DMN6040SE-13也可以用于射频(RF)电路,提升信号质量并降低功耗。

总结

DMN6040SE-13是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其高电压、高电流的处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。它的多样化应用使其在开关电源、马达控制以及负载开关等领域表现出色。因此,在选型时若需要在高效和可靠性之间找到平衡,DMN6040SE-13将是一个值得考量的优质选择。