功率(Pd) | 1.2W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 44pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,12A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 22.4nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.287nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
产品概述:DMN6040SE-13
DMN6040SE-13是一款由DIODES公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计特性使其成为众多电子应用中非常理想的解决方案。该MOSFET具有卓越的性能,广泛应用于开关电源、负载驱动、马达控制及其他需要高效率和高可靠性的场合。
电流和电压能力:DMN6040SE-13可承受高达5A的连续漏极电流,并能在最高60V的漏极源极电压下稳定工作,适合多种高电压及高电流的应用场景。
低导通电阻:该MOSFET具备低导通电阻(R_DS(on)),这意味着在工作时将极大降低功耗和热量产生,提升系统的整体能效,尤其在高频和高效能的开关电源电路中表现尤为出色。
快速开关速度:DMN6040SE-13的开关速度快,通常适用于频率响应要求较高的应用。在需要频繁切换的电路中,快速的响应特性能够有效提高系统的工作效率和控制精度。
可靠性:产品经过严格的质量控制,具备良好的热性能和电气特性,确保在苛刻环境下也能稳定运行。封装设计帮助提升散热能力,增强器件的可靠性和使用寿命。
封装设计:采用SOT-223-3封装,小型化设计非常适合空间有限的现代电子设备。这种封装方式不仅提高了电路板的设计灵活性,还便于自动化贴装,大幅降低生产成本。
DMN6040SE-13的应用范围极为广泛,以下是一些典型应用示例:
开关电源:在开关电源设计中,DMN6040SE-13可以被用作开关元件以实现高效能量转换,通常用于笔记本电脑电源适配器、高效LED驱动电源和其他电源模块。
电机控制:该MOSFET可用于直流电机的驱动电路,能够有效调节电机的速度和功率,广泛应用于自动化设备、机器人以及电动车辆驱动系统。
负载开关:与微控制器或其他逻辑电路结合使用时,可作为负载开关实现设备的启停控制,常见于家用电器、工业设备和灯光控制系统。
RF应用:由于其优越的开关速度,DMN6040SE-13也可以用于射频(RF)电路,提升信号质量并降低功耗。
DMN6040SE-13是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其高电压、高电流的处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。它的多样化应用使其在开关电源、马达控制以及负载开关等领域表现出色。因此,在选型时若需要在高效和可靠性之间找到平衡,DMN6040SE-13将是一个值得考量的优质选择。