AO4807 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4807

商品编码: BM0033536111
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
MOSFET-阵列-2-个-P-沟道(双)-30V-6A-2W-表面贴装型-8-SO
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.11
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.11
--
100+
¥1.7
--
750+
¥1.51
--
1500+
¥1.42
--
3000+
¥1.36
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4807参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)35 毫欧 @ 6A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6AFET 类型2 个 P 沟道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)760pF @ 15V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)16nC @ 10V漏源电压(Vdss)30V
FET 功能逻辑电平门功率 - 最大值2W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA

AO4807手册

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AO4807概述

产品概述:AO4807 MOSFET 阵列

1. 产品简介

AO4807 是一款高性能的双 P 沟道 MOSFET 阵列,具有良好的电气特性和热稳定性,适用于多种电子应用。该元器件采用表面贴装(SMD)封装,符合现代电路设计的紧凑要求,能够有效地减小PCB的占用面积,是实现高密度电路板设计的理想选择。

2. 技术规格

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),能够适应自动化贴片和焊接工艺,符合工业标准。
  • 导通电阻:在不同漏极电流(Id)和栅源电压(Vgs)条件下,AO4807 的最大的导通电阻为 35 毫欧(@6A,10V),这一低电阻值有助于降低导通损耗,提高整体效率。
  • 连续漏极电流:最大漏极电流为 6A,适用于要求较高电流承载能力的场合。
  • 工作温度范围:该器件操作温度范围广,达到 -55°C 到 150°C(TJ),能够在极端环境条件下正常工作。
  • 漏源电压(Vdss):该元件可以耐受最高 30V 的漏极到源极电压,为电路设计提供了更大的灵活性。

3. 电气特性

  • 输入电容 (Ciss):最大输入电容为 760pF(@15V),高输入电容值有助于稳定器件的开关特性,对于高频应用尤其重要。
  • 栅极电荷 (Qg):在 10V 条件下,该器件的栅极电荷 Qg 最大值为 16nC,较低的栅极驱动电荷有助于提高开关速度,适合高效率开关电源和快速开关应用。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):在 250µA 射频下,最大阈值电压为 2.4V,说明该器件能够在较低的栅极电压下导通,有利于逻辑电平接口的应用。

4. 应用场景

AO4807 MOSFET 阵列广泛应用于各种电子设备中,包括:

  • 电源管理:在 DC-DC 转换器、电池管理系统等对电流和电压要求严格的电源模块中,AO4807 可以作为开关元件,确保高效的电能传输和管理。
  • 负载开关:用于控制高功率负载的连接和断开,尤其是在需要快速响应的电路设计中。
  • 汽车电子:由于其广泛的工作温度范围,AO4807 特别适合用于汽车电子设备,例如电动窗、座椅控制等。
  • 工业控制:在工业自动化设备中,AO4807 可用于执行高频开关任务,确保设备高效运行的同时降低功耗。

5. 封装和散热

AO4807 采用 SOIC-8 封装,具备良好的散热性能。其适合的封装设计可以有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。此外,SOIC-8 封装尺寸小,便于在空间有限的应用环境中使用。

6. 结论

AO4807 MOSFET 阵列以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的应用能力,成为现代电子设计中的优选组件。无论是在电源管理、负载开关还是汽车和工业应用中,AO4807 都能提供可靠和高效的解决方案。同时,其符合现代 PCB 设计要求的表面贴装型设计,更是使其成为高密度集成电路的理想选择。选择 AO4807,您将体验到卓越的性能和极高的设计灵活性。