安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 35 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A | FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 760pF @ 15V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 2W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
AO4807 是一款高性能的双 P 沟道 MOSFET 阵列,具有良好的电气特性和热稳定性,适用于多种电子应用。该元器件采用表面贴装(SMD)封装,符合现代电路设计的紧凑要求,能够有效地减小PCB的占用面积,是实现高密度电路板设计的理想选择。
AO4807 MOSFET 阵列广泛应用于各种电子设备中,包括:
AO4807 采用 SOIC-8 封装,具备良好的散热性能。其适合的封装设计可以有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。此外,SOIC-8 封装尺寸小,便于在空间有限的应用环境中使用。
AO4807 MOSFET 阵列以其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的应用能力,成为现代电子设计中的优选组件。无论是在电源管理、负载开关还是汽车和工业应用中,AO4807 都能提供可靠和高效的解决方案。同时,其符合现代 PCB 设计要求的表面贴装型设计,更是使其成为高密度集成电路的理想选择。选择 AO4807,您将体验到卓越的性能和极高的设计灵活性。