功率(Pd) | 28.4W;2.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@10A,10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.7nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 808pF@30V | 连续漏极电流(Id) | 10A;31.8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
DMT6015LFVW-7是一款高效能N沟道MOSFET,属于DIODES(美台)品牌,采用PowerDI3333-8(SWP)(UX)封装。这款MOSFET具有耐压60V,最大连续电流可达10A,瞬时峰值电流则为31.8A,非常适合用于功率转换和开关应用中。广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等高频、高功率的电路中。
电气特性:
封装特性:
功率和热管理:
开关特性:
DMT6015LFVW-7工艺成熟,广泛用于以下几个领域:
开关电源和DC-DC转换器:
电机驱动:
LED驱动电路:
自动化设备与家电:
随着科技的不断进步,对电源管理和高效能设备的需求持续上升,DMT6015LFVW-7这样的高效率MOSFET产品在市场中将会越来越受到关注。由于其优良的电气特性和高功率处理能力,预计将在智能家居、工业自动化和新能源汽车等领域获得更广泛的应用。
DMT6015LFVW-7作为一款高性能N沟道MOSFET,凭借其优异的耐压、开关特性以及高功率处理能力,在电源管理与控制领域具备很强的市场竞争力。无论是在高频高效的开关电源设计,还是在电机驱动与LED应用中,都展现出其卓越的性能,是电子设计师和工程师的理想选择。