DMN2024UFU-7
DMN2024UFU-7参数
| 功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 38pF@10V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.1nC |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 2个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 647pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6.8A |
| 配置 | 共源 | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
DMN2024UFU-7手册
DMN2024UFU-7概述
DMN2024UFU-7 产品概述
产品简介
DMN2024UFU-7 是由DIODES(美台)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有优异的电气特性和强大的功率处理能力。该器件封装形式为UDFN2030-6，具备810mW的额定功率，最高电压可达20V，且具备7.5A的持续沟道电流能力（瞬态峰值电流可达21A），专为高效能开关及功率管理应用设计。
关键特性
高功率处理: DMN2024UFU-7的功率额定值为810mW，支持大电流的连续和瞬态操作，使其成为各种功率管理和开关电源设计中的理想选择。
低导通电阻: 本器件的低导通电阻特性确保了在开关状态下的能量损耗降至最低，从而提高系统的整体效率。在高频率开关应用中，低Rds(on)是提升转换效率和减少热量生成的关键因素。
优异的热性能: 封装设计有效散热，适合在高温环境下长时间工作，保证了系统的稳定性及可靠性。
紧凑的UDFN封装: UDFN2030-6的紧凑设计使得DMN2024UFU-7可以在空间有限的应用中使用，适合便携式设备和小型电源模块。该封装具有良好的热传导特性，并支持自动化贴片封装，降低生产成本。
极低的开关损耗: 由于其开关速度快，DMN2024UFU-7在快速开关应用场合表现杰出，尤其适用于DC-DC转换器及其他高频应用，帮助设计工程师实现更高的系统性能。
应用领域
DMN2024UFU-7广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源: 由于其出色的电气特性，该器件可在各种开关电源中作为开关元件使用，提升能量转换效率。
消费电子: 在智能手机、平板电脑及其它便携设备中，DMN2024UFU-7适用于电池管理系统及功率调节。
电机驱动: 适合用于低功率电机的驱动和控制，帮助实现更智能化的设备。
LED驱动: 在LED驱动电路中，该器件具备低导通损耗的特点，能够有效延长LED的使用寿命及提升亮度。
汽车电子: 适用于汽车内电源管理、充电器及其他应用，以满足逐步增长的功率需求和嵌入式系统的高性能要求。
结论
总的来说，DMN2024UFU-7 MOSFET凭借其优秀的电气性能和紧凑的封装设计，成为高效能电源管理和开关应用中的一款理想选择。设计工程师可以利用其高电流处理能力、低导通电阻以及低开关损耗特性，满足各类先进电子设备对性能和可靠性的苛刻要求。随着技术的不断进步，DMN2024UFU-7在未来的电子产品中，将继续发挥重要作用，助力各种应用实现更高的性能和更低的能耗。