DMN10H220LFVW-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能 N-MOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用创新的 PowerDI3333-8(SWP)(UX) 封装设计,这种封装不仅能有效节省PCB空间,还具备优异的散热性能,非常适合高功率和高电流应用。该元器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等多个领域。
工作电压 (Vds): 100V
漏极电流 (Id): 9A
脉冲漏极电流 (Idm): 44A
功耗 (Pd): 2.4W
DMN10H220LFVW-7 采用 PowerDI3333-8(SWP)(UX) 封装,这种封装设计具有以下优点:
DMN10H220LFVW-7 的设计使其适用于多个领域,主要应用包括但不限于:
开关电源 (SMPS):
DC-DC 转换器:
电机驱动:
电池管理系统:
DMN10H220LFVW-7 是一款适应现代电子产品需求的高效 N-MOSFET,凭借其优越的电气性能及散热能力,在多种应用中展现出极高的可靠性。其广泛的适用性和高功率处理能力,使其成为开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域的理想选择。通过利用这一元器件,工程师们可以在设计中实现更高的能效、更小的尺寸和提升的整体性能,从而适应日益复杂和高效的电子产品市场。