DMN10H220LFVW-7 产品实物图片
DMN10H220LFVW-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN10H220LFVW-7

商品编码: BM0033521707
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8(SWP)(UX)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.987
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.987
--
50+
¥0.759
--
1000+
¥0.69
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN10H220LFVW-7参数

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DMN10H220LFVW-7手册

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DMN10H220LFVW-7概述

DMN10H220LFVW-7 产品概述

一、产品简介

DMN10H220LFVW-7 是由 DIODES(美台)公司推出的一款高性能 N-MOSFET(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用创新的 PowerDI3333-8(SWP)(UX) 封装设计,这种封装不仅能有效节省PCB空间,还具备优异的散热性能,非常适合高功率和高电流应用。该元器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等多个领域。

二、关键参数

  1. 工作电压 (Vds): 100V

    • DMN10H220LFVW-7 支持的最大漏极到源极电压为 100V,这使其在高压应用中表现出色,具备良好的耐压能力。
  2. 漏极电流 (Id): 9A

    • 该 MOSFET 的额定连续漏极电流为 9A,能够满足多种应用中对电流的需求。
  3. 脉冲漏极电流 (Idm): 44A

    • 具备高达 44A 的脉冲漏极电流,适合应对瞬态电流的需求,其高瞬态电流能力使其在峰值电流情况下仍能稳定工作。
  4. 功耗 (Pd): 2.4W

    • 该器件能在 2.4W 的功耗下稳定工作,并且通过优化的封装结构,具备良好的散热特性。

三、结构与封装

DMN10H220LFVW-7 采用 PowerDI3333-8(SWP)(UX) 封装,这种封装设计具有以下优点:

  • 高热导性: 封装设计优化了热量的散发,降低了工作温度,从而提升了器件的可靠性和寿命。
  • 紧凑型尺寸: 封装结构小巧,适合用于对 PCB 空间要求较高的设计中。
  • 良好的电气性能: 卓越的电气性能有助于降低开关损耗,提高整体电源效率。

四、应用场景

DMN10H220LFVW-7 的设计使其适用于多个领域,主要应用包括但不限于:

  1. 开关电源 (SMPS):

    • 作为电源转换中的开关组件,能够实现高效率、一致的输出电流和电压。
  2. DC-DC 转换器:

    • 适用于升压、降压和反相转换器,具有快速开关响应和高工作效率。
  3. 电机驱动:

    • 适用于驱动直流电机或步进电机,能够在快速反向切换时保持稳定电流支持。
  4. 电池管理系统:

    • 在电池充电和放电过程中作为开关使用,确保高效的电流传递及管理。

五、总结

DMN10H220LFVW-7 是一款适应现代电子产品需求的高效 N-MOSFET,凭借其优越的电气性能及散热能力,在多种应用中展现出极高的可靠性。其广泛的适用性和高功率处理能力,使其成为开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域的理想选择。通过利用这一元器件,工程师们可以在设计中实现更高的能效、更小的尺寸和提升的整体性能,从而适应日益复杂和高效的电子产品市场。