功率(Pd) | 290mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@10V,0.42A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 360pC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 19pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 380mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
产品概述:DMP31D7LW-13
DMP31D7LW-13 是由 DIODES(美台)生产的一款 P 沟道场效应管(MOSFET),其特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度,使其在多种电子电路中成为一种理想的选择。这款器件专为低功耗应用设计,最大的功率耗散为 290mW,支持高达 30V 的漏源电压和 380mA 的漏电流,使其适用于各类中低功率控制需求。
类型及封装:
电气特性:
性能优势:
DMP31D7LW-13 适用于多个领域,主要包括:
开关电源:
电机驱动:
信号开关:
LED驱动电路:
DIODES作为电子元器件行业的知名品牌之一,其产品质量和技术水平在市场上享有良好的声誉。DMP31D7LW-13凭借其性能和可靠性能够在竞争激烈的市场中脱颖而出。此外,具有较高性价比的设计,使得这款 MOSFET 成为中小企业和个人开发者的理想选择。
总之,DMP31D7LW-13 是一款兼具高性能和高可靠性的 P 沟道 MOSFET,适合多种中低功率应用。通过其低导通电阻和优秀的电气特性,能够在电源管理、信号控制以及LED驱动等场景中发挥重要作用。作为现代电子设计中的重要元件,它为工程师提供了极大的便利,使其能够更快地优化电路性能并实现产品设计目标。无论是针对复杂电路的快速开发,还是对高效能元件的需求,DMP31D7LW-13 都是一款值得信赖的优质选择。