DMP31D7LW-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP31D7LW-13

商品编码: BM0033521026
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 290mW 30V 380mA 1个P沟道 SOT-323
库存 :
8930(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.425
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.425
--
500+
¥0.284
--
5000+
¥0.246
--
10000+
¥0.22
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP31D7LW-13参数

功率(Pd)290mW反向传输电容(Crss@Vds)3pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,0.42A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)360pC
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)19pF@15V连续漏极电流(Id)380mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

DMP31D7LW-13手册

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DMP31D7LW-13概述

产品概述:DMP31D7LW-13

一、概述

DMP31D7LW-13 是由 DIODES(美台)生产的一款 P 沟道场效应管(MOSFET),其特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度,使其在多种电子电路中成为一种理想的选择。这款器件专为低功耗应用设计,最大的功率耗散为 290mW,支持高达 30V 的漏源电压和 380mA 的漏电流,使其适用于各类中低功率控制需求。

二、主要特性

  1. 类型及封装

    • 这款 MOSFET 为 P 沟道类型,能够提供全面的电流控制。
    • 采用 SOT-323 封装,尺寸小巧,适合密集型电路布局,提高了设计的集成度。
  2. 电气特性

    • V_DS(漏源电压):最高可承受 30V,适合在大多数低压应用中使用。
    • I_D(漏电流):最大为 380mA,满足中低功率负载的需求。
    • P_D(功率耗散):最大能耗为 290mW,适合低功耗设计。
    • R_DS(on)(导通电阻):低至 0.5Ω (典型值),减少导通损耗,提高效率。
  3. 性能优势

    • 优越的开关性能,使其能够在高频率下进行操作,特别适合于开关电源和快速开关应用。
    • 提供较好的温度稳定性,在不同的工作环境下表现出色,保证长时间的可靠工作。

三、应用场景

DMP31D7LW-13 适用于多个领域,主要包括:

  1. 开关电源

    • 由于其高效合理的功率特点,这款 MOSFET 适合用于电源管理电路,以优化能耗和延长电源的使用寿命。
  2. 电机驱动

    • 在电机控制电路中,它可用于电机驱动模块,有效控制电机的启动和停止,提高整体系统的稳定性。
  3. 信号开关

    • DMP31D7LW-13能够充当信号开关,应用于例如通信设备等,需要开关闭合控制的地方,以实现信号的动态切换。
  4. LED驱动电路

    • 由于该器件可以调节电流,使其在 LED 驱动应用中往往可以有效调节亮度,提升照明系统的表现。

四、市场竞争力

DIODES作为电子元器件行业的知名品牌之一,其产品质量和技术水平在市场上享有良好的声誉。DMP31D7LW-13凭借其性能和可靠性能够在竞争激烈的市场中脱颖而出。此外,具有较高性价比的设计,使得这款 MOSFET 成为中小企业和个人开发者的理想选择。

五、总结

总之,DMP31D7LW-13 是一款兼具高性能和高可靠性的 P 沟道 MOSFET,适合多种中低功率应用。通过其低导通电阻和优秀的电气特性,能够在电源管理、信号控制以及LED驱动等场景中发挥重要作用。作为现代电子设计中的重要元件,它为工程师提供了极大的便利,使其能够更快地优化电路性能并实现产品设计目标。无论是针对复杂电路的快速开发,还是对高效能元件的需求,DMP31D7LW-13 都是一款值得信赖的优质选择。