DMG1029SVQ-7
DMG1029SVQ-7参数
| 功率(Pd) | 450mW | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.7Ω@500mA,10V；4Ω@500mA,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 300pC@4.5V；280pC@4.5V | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 30pF@25V；25pF@25V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；360mA | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA；3V@250uA |
DMG1029SVQ-7手册
DMG1029SVQ-7概述
DMG1029SVQ-7 是由美台半导体（DIODES）推出的一款双通道场效应管（MOSFET），它采用了紧凑的SOT-563封装，具有出色的电气性能，广泛应用于各种电子电路中。该器件特别适合需要高开关速度，低导通阻抗以及紧凑设计的应用。
产品规格
DMG1029SVQ-7 包含两个MOSFET，一个是N沟道场效应管，另一个是P沟道场效应管，其电气参数分别为：最大额定电压为60V，最大输出电流为500mA，这使得它在中等功率应用中表现出良好的性能。该器件的功率耗散能力为450mW，满足了多种应用中的功率管理需求。
N沟道MOSFET
- 最大漏极源极电压（V_DS）：60V
- 最大漏极电流（I_D）：500mA（TA = 25 °C）
- 最大功耗：450mW
P沟道MOSFET
- 最大漏极源极电压（V_DS）：-60V
- 最大漏极电流（I_D）：-360mA（TA = 25 °C）
- 最大功耗：450mW
主要优势
高效能：DMG1029SVQ-7 提供良好的开关特性，其低R_DS(on)特性显著降低了在导通状态下的功耗，从而提高了整体电源效率。
紧凑封装：采用SOT-563封装，DMG1029SVQ-7 具备小巧的体积，适用于空间受限的设计，使其成为便携式电子设备的理想选择。
双通道设计：集成N沟道和P沟道MOSFET于一个封装中，简化了电路设计和布局，减少了元器件数量，从而有助于缩短生产周期和降低成本。
高耐压能力：具有高达60V的耐压能力，广泛适用于电源开关、马达驱动、LED照明及其他高压应用，提供更大的设计灵活性。
热管理性能：良好的功耗和热特性，使得DMG1029SVQ-7 在高环境温度下依然能稳定工作，确保系统的可靠性和稳定性。
应用领域
DMG1029SVQ-7 可广泛应用于以下领域：
- 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关、电源分配及能源监测等。
- 马达驱动：在马达控制和驱动电路中提供高效开关，实现精确的速度和扭矩控制。
- 照明控制：用于LED驱动电路，实现高效能的灯光调节和亮度控制。
- 消费电子产品：例如在智能手机、平板电脑和其他便携设备中，提供电源管理和信号切换等功能。
结论
DMG1029SVQ-7 是一款功能强大、效率优秀的双通道MOSFET，凭借其出色的性能指标和多样的应用场景，成为设计师在选择电源开关及信号控制元件时的优选产品。无论是在高效电源管理还是在复杂的马达控制应用中，DMG1029SVQ-7 都能为设计带来可靠性和高效性，是现代电子设计中不可或缺的元件之一。