晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
功率 - 最大值 | 15W | 频率 - 跃迁 | 3MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
MJD32CQ-13 是一款高性能的PNP型功率晶体管,专为各种功率控制应用而设计。这款晶体管能够承受最大集电极电流为3A,最大集射极电压为100V,具备出色的性能参数和可靠性,广泛应用于自动化控制、LED驱动、功率放大、开关电源等消费电子及工业设备中。
MJD32CQ-13凭借其高功率处理能力及良好的电气性能,适用于以下应用:
MJD32CQ-13是一个出色的PNP型功率晶体管,凭借其高电流、低饱和压降和宽工作温度范围,成为许多电气设备中不可或缺的重要元器件。它在电子设计中为许多高功率和高频应用提供了可靠的解决方案,非常适合于现代电子产品的设计需求。如果您正在寻找性能卓越且能够满足高电压、电流的功率晶体管,MJD32CQ-13无疑是一个理想的选择。