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BSP320SH6327XTSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.194g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 60V 2.9A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.53按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.53
--
50+
￥2.71
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSP320SH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 20µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP320SH6327XTSA1手册
无数据
BSP320SH6327XTSA1概述
BSP320SH6327XTSA1 产品概述
1. 产品背景及类别
BSP320SH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），由著名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。作为一种广泛应用于现代电子电路中的开关元件，该 MOSFET 在低电压和高电流应用中表现出色，尤其适用于工业、汽车电子和消费类电子产品。
2. 主要规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）@ 25°C: 2.9A（Tj）
- 导通电阻（Rds On）: 在 Vgs = 10V 时，最大值为 120 毫欧 @ Id = 2.9A
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 4V @ 20µA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 12nC @ Vgs = 10V
- 最大栅极源电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值 340pF @ 25V
- 功率耗散: 最大值 1.8W（Ta）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: PG-SOT223-4 / TO-261-4，TO-261AA
3. 典型应用
BSP320SH6327XTSA1 MOSFET 的设计目标是针对高效的功率开关应用。它可以用于以下几个领域：
- 开关电源: 由于其低导通电阻和相对高的开关速度，适合用于开关电源和DC-DC转换器。
- 马达驱动: 在电动机控制应用中，可以用作高侧或低侧开关，以提高系统的功率效率。
- 自动化控制: 应用于各种自动化设备的驱动电路，能够在较高的负载下稳定工作。
- 消费电子: 在各种设备如电池充电器和LED驱动等领域提供理想的解决方案。
4. 性能优势
- 低导通电阻: BSP320SH6327XTSA1 提供低至 120 毫欧的导通电阻，允许更大的电流流过，同时减少功耗和热量产生，提高整个系统的能效。
- 广泛的工作温度范围: 该器件支持-55°C至150°C的广泛工作温度范围，使其在极端环境中仍可正常工作，便于在各种应用中使用。
- 高度集成的封装: SOT-223-4 封装设计适合表面贴装（SMD），便于在现代电子电路设计中简化生产过程，提高组装效率。
5. 封装与可靠性
BSP320SH6327XTSA1 采用 SOT-223 包装形式和 TO-261-4 封装，这些封装形式不仅便于自动化生产，而且在热管理和电气特性上具有卓越表现。该器件的耐高温性能和功率管理能力使其在挑战性的工业和汽车应用中表现出优异的可靠性和稳定性。
6. 结论
BSP320SH6327XTSA1 是一款功能齐全的 N 通道 MOSFET，其高效性、可靠性和广泛的应用潜力使其在市场上具有竞争优势。无论是在开关电源设计，还是在消费者电子产品中，这个元器件都能有效地满足高效能、高可靠性的设计要求，成为设计工程师精心挑选的理想解决方案。