AOD603A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD603A

商品编码: BM0030050384
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252-4L
包装 : 
编带
重量 : 
0.366g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 60V 3.5A;3A 1个N沟道+1个P沟道 TO-252-4L
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.02
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.02
--
100+
¥3.36
--
1250+
¥3.05
--
2500+
¥2.83
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD603A参数

功率(Pd)2W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@12A,10V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V漏源电压(Vdss)60V
类型1个N沟道+1个P沟道输入电容(Ciss@Vds)540pF@30V
连续漏极电流(Id)3.5A;3A阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

AOD603A手册

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AOD603A概述

AOD603A 产品概述

1. 概述

AOD603A是一款高性能的MOSFET(场效应管),属于N沟道和P沟道的组合器件,采用TO-252-4L封装。该器件具有优良的电流和电压处理能力,特别适合电子设备的开关电源、直流-直流转换器以及各种负载驱动应用。其最大工作电压为60V,最大连续电流为3.5A,能够满足多样化的应用需求。

2. 关键特点

  • 电压等级:AOD603A的最大漏源电压(Vds)为60V,这使其能够在多种高压情况下安全工作,适合家用电器、工业控制及电动汽车等应用场景。

  • 电流能力:器件具备3.5A的最大连续漏电流(Id),能够处理较大的负载电流,适合用于电源管理及电机驱动。

  • 低导通电阻:AOD603A拥有低导通电阻(Rds(on)),这能够显著提升系统的效率,并减少功耗和热量生成,从而提高可靠性和稳定性。

  • 封装形式:TO-252-4L封装设计具有良好的散热特性,适合在高温环境下持续工作的应用。该封装还具有较小的占板面积,有助于设计紧凑型电路。

  • 双通道设计:该器件包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,便于构建全桥驱动配置及其他复合电路设计,提升电路集成度和系统操作灵活性。

3. 应用领域

AOD603A广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:在直流-直流转换器中,其低导通电阻和高电流能力确保了高效的功率转换,适用于便携式电子设备和计算机电源。

  • 电机控制:由于其高电流处理能力,AOD603A适合在直流电机和步进电机的驱动应用中,能够确保平稳的启动和运行。

  • 电池管理系统:在电池充放电管理中,该器件的高可靠性使其能有效地控制充电电流及电压,延长电池的使用寿命。

  • LED驱动:在LED照明系统中,AOD603A可以作为开关元件,帮助实现调光和过流保护,提升LED驱动的稳定性和安全性。

4. 性能参数

  • 最大漏极源电压(Vds):60V
  • 最大连续漏极电流(Id):3.5A
  • 导通电阻(Rds(on)):在特定条件下,该参数确保器件在开启时损耗最小。
  • 门极阈值电压(Vgs):适合逻辑电平驱动,提高驱动电路的兼容性。

5. 封装和散热特性

TO-252-4L封装有助于良好的散热管理,适合在高功率应用中使用。由于其紧凑的设计,该封装适合在体积受限的环境中使用,能够有效降低电路板空间的占用。

6. 结论

AOD603A是一款特性优越的MOSFET元器件,集成了双管设计,提供灵活的电路解决方案,具备高电流和高电压处理能力,适合多种应用场景。其低导通电阻和良好的散热特性使得该器件在苛刻的工作环境中仍能保持高效运行。无论是在开关电源、电机控制,还是在锂电池管理和LED驱动应用中,AOD603A都能为系统设计提供可靠的支持和保障。