安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 41 毫欧 @ 5.5A,4.5V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A(Ta) | FET 类型 | P 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 905pF @ 10V | Vgs(最大值) | ±8V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
AO6409A 是一款高性能的 P 型 MOSFET,主要应用于圆形和线性电源,以及其他需要高效开关功能的电子电路中。该元件采用表面贴装封装(TSOP-6),具备出色的热管理和尺寸优势,适合于空间受限的电路设计。本文将详细介绍其主要参数、性能以及应用场景。
AO6409A MOSFET 适用于多种应用,主要包括但不限于:
AO6409A 是一款性能卓越的 P 通道 MOSFET,结合其优异的电气参数和宽广的应用范围,使其在电子设计中成为理想的选择。无论是在消费类电子产品,还是在工业和汽车应用中,AO6409A 都能提供极佳的能耗控制和高效的开关能力。随着电子技术的发展,AO6409A 的应用必将更为广泛,能够满足现代机电系统对高效、低功耗解决方案的需求。