晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-85 | 供应商器件封装 | UMT3F |
产品型号:DTC043TUBTL
品牌:ROHM (罗姆)
封装类型:UMT3F
类型:数字晶体管,NPN预偏置
DTC043TUBTL 是一款来自知名半导体制造商 ROHM 的数字晶体管,专为低功耗、高效率的电子应用而设计。作为一个 NPN 类型的预偏置晶体管,它提供了一种可靠的解决方案来处理各种电流控制场景。其在数字电路和模拟电路中的应用广泛,特别适用于开关控制、信号放大及小功率驱动等领域。该产品的性能参数使其特别适合用于高频应用,如无线通信和现代电子设备。
电流 - 集电极 (Ic):最大值为 100mA,这使得 DTC043TUBTL 能够有效地驱动各种负载。
电压 - 集射极击穿 (Vce):最大值为 50V,这为设备的耐压能力提供了额外的安全余地,适合多种工作环境。
电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms,适合于保证合理的基极驱动和控制电流,能够进行有效的信号放大。
直流电流增益 (hFE):在5mA和10V条件下,最小值为100,这是保证晶体管在正常工作条件下能够提供足够增益的关键参数。
Vce 饱和压降:最大值为 150mV(条件:500µA,5mA),这确保了在开关状态下的功耗得以控制,提高了整体效率。
电流 - 集电极截止 (ICBO):最大值为 500nA,确保晶体管在OFF状态时的漏电流极低,提升电路的可靠性。
频率 - 跃迁:250MHz,支持高频应用的处理,适合现代高速数字电路的需求。
功率 - 最大值:200mW,为小型应用提供了良好的功率管理解决方案。
安装类型:表面贴装型(SMD),便于在现代电子设备的生产过程中节省空间。
供应商器件封装:UMT3F,紧凑的封装设计适合自动化贴片工艺,提高装配效率。
DTC043TUBTL 的多项特性使其在多个领域有着广泛的应用:
消费电子:用于各种家用电器、音频设备和视频设备中,作为开关和信号调节的元件。
计算机及外围设备:在计算机中可以作为电源开关和集成电路中其他信号的开关。
无线通信:由于其高频特性,DTC043TUBTL 适合用在无线发射和接收设备中。
汽车电子:可用于汽车的控制系统中,帮助改善能效和系统可靠性。
工业控制:在工业设备中,通常用于驱动继电器、马达以及其他负载。
DTC043TUBTL 是一款性价比极高的数字晶体管,结合了可靠的电气性能和广泛的应用范围。无论是用于设计新型电子设备,还是替换现有电路中的元件,DTC043TUBTL 都能提供出色的可靠性和效率。凭借其紧凑的封装、优异的电流增益和低饱和压降,DTC043TUBTL 是工程师在高性能、低功耗电子产品设计中的理想选择。通过选用 ROHM 的这款晶体管,可以大幅度提升产品的整体性能,同时确保符合现代市场对小型化和高效能的要求。