DTC115EKAT146 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC115EKAT146

商品编码: BM0030049230
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.033g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 20mA 1个NPN-预偏置 SC-59
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.579
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.579
--
200+
¥0.193
--
1500+
¥0.121
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC115EKAT146参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SMT3

DTC115EKAT146手册

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DTC115EKAT146概述

DTC115EKAT146 产品概述

基本信息

DTC115EKAT146 是一款高性能 NPN 数字晶体管,主要用于开关和放大电路的应用。其采用预偏压结构,具备良好的工作特性及稳定性,广泛应用于各种消费类电子产品、汽车电子、工业控制及其他相关领域。此款晶体管由罗姆(ROHM)公司制造,以其高增益和低饱和压降特点,成为工程师和设计师在产品开发中的热门选择。

技术规格

  1. 晶体管类型:NPN - 预偏压
  2. 最大集电极电流 (Ic):20 mA
  3. 最大集射极击穿电压 (Vce):50 V
  4. 功率最大值:200 mW
  5. 频率 - 跃迁:250 MHz
  6. DC 电流增益 (hFE)
    • 最小值:82 @ 5 mA,5 V
  7. 基极电阻 (R1):100 kΩ
  8. 发射极电阻 (R2):100 kΩ
  9. 集电极截止电流 (Ic(max)):500 nA
  10. Vce 饱和压降 (最大值):300 mV @ 250 µA,5 mA
  11. 安装类型:表面贴装型
  12. 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  13. 供应商器件封装:SMT3

功能与应用

DTC115EKAT146 的设计目标是为电子工程师提供一个高效且可靠的 NPN 晶体管解决方案,特别是在需要限制电流、实现低功耗及小型化的应用场景中尤为出色。它的预偏压特性使得开关操作更加迅速,适合用于信号调理、焊接线路、传感器接口及信号继电等应用。

  1. 开关电路:利用其高增益特性,DTC115EKAT146 能够在仅需小的基极电流(Ib)情况下控制较大的集电极电流(Ic),适用于电机驱动、LED 照明及继电器驱动电路。

  2. 信号放大:在音频和无线信号处理中,DTC115EKAT146 能够提供必要的增益,确保信号在传输过程中的强度和质量,适用于音频放大器和 RF 放大器设计。

  3. 数字电路应用:由于其较快的跃迁频率(250 MHz),该晶体管也适合高频数字电路,能够用于数据传输通道、开关电路等。

性能优势

  • 高增益:DTC115EKAT146 提供最低 82 的电流增益(hFE),确保在适当的基极电流下能够有效放大集电极电流。
  • 低饱和压降:其在 250 µA 和 5 mA 的工作条件下,最大 Vce 饱和压降仅为 300 mV,确保在开关状态下高效率地转换电流。
  • 小型化设计:TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3 封装使得该晶体管易于安装在空间有限的电路板上,有助于实现更小的设备尺寸。
  • 低功耗:在较低的供电条件下(最大 200 mW),能够有效降低能耗,延长电池供电设备的使用时间,是便携式设备的理想选择。

总结

DTC115EKAT146 是一款优秀的 NPN 预偏压数字晶体管,集高效、低能耗及小型化于一身,为各种电子项目提供了一种可靠的开关和放大解决方案。凭借其出色的性能和广泛的应用范围,DTC115EKAT146 已成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是用于简单的开关电路还是复杂的信号处理,DTC115EKAT146 都能满足设计师对性能和效率的各种要求。