SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3 产品概述

概述

SI7850DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供。这款 MOSFET 具有广泛的应用范围，适合用于开关电源、直流-直流转换器、马达驱动及其他需要高效能电源管理的电路设计。SI7850DP-T1-GE3 的设计目标是提供低导通电阻及高功率处理能力，从而提高电路的整体效率与可靠性。

主要参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 最高可达 60V，适合大多数中低压应用。
• 最大连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下为 6.2A，能够满足绝大部分电子设计的需求。
• 导通电阻: 在 Vgs = 10V 时，随着漏极电流 Id 的增加，导通电阻（Rds(on)）最大为 22 毫欧，这保证了在高负载下仍能保持较低的功率损耗。
• 驱动电压: 此 MOSFET 具有 4.5V 的最小驱动电压及 10V 的最大驱动电压选择，确保与多种驱动电路兼容。
• 阈值电压: 最大 Vgs(th) 为 3V（在 Id = 250µA 时测得），作为开关元件，它能够在较低电压下启动，提升整体电路的响应速度。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为 27nC，并在 Vgs = 10V 时测得，这一特性有助于降低驱动损耗，适合高频开关应用。
• 功率耗散: 最大功率耗散为 1.8W，意味着该器件可在较高的功率负载条件下稳定工作，适合各种苛刻的应用环境。
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使得该 MOSFET 能够在极端温度环境下稳定工作，提高了其应用的灵活性与可靠性。

封装与安装

SI7850DP-T1-GE3 采用了 PowerPAK® SO-8 的封装方式，属于表面贴装型（SMD）元件，具有体积小、重量轻的特点。这一封装方式便于实现高密度电路设计，同时也支持自动化贴装，减少了生产成本。

应用场景

SI7850DP-T1-GE3 适合广泛的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源: 能够有效转化和调节电能，适合消费电子产品中的电源管理。
• 电机控制: 作为电动机驱动电路中的开关，对动态负载响应迅速，降低系统功耗。
• 直流-直流转换器: 提高转换效率，优化电源布局设计，从而减少系统散热需求。
• 汽车电子: 由于其优良的工作温度范围和高稳定性，适合用在汽车的电源管理模块和电动机控制中。

总结

SI7850DP-T1-GE3 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，设计上强调低导通电阻，高电流承载能力及良好的热管理特性。其灵活的工作电压范围和宽广的温度适应性，使其成为电子设计师在进行电源管理和驱动设计时一个理想的选择。凭借 VISHAY 的品牌可靠性，用户可以放心使用确保设计的可靠性和长时间稳定运行。