SIA483ADJ-T1-GE3
SIA483ADJ-T1-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.6A（Ta），12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | +16V，-20V | 功率耗散（最大值） | 3.4W（Ta），17.9W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 | 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950pF @ 15V | 基本产品编号 | SIA483 |
SIA483ADJ-T1-GE3手册
SIA483ADJ-T1-GE3概述
产品概述：SIA483ADJ-T1-GE3
基本介绍
SIA483ADJ-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，属于 TrenchFET® Gen IV 系列。这款 MOSFET 专为高效能应用而设计，广泛应用于各种电源管理、电机驱动以及信号开关等场景。它采用表面贴装型的 PowerPAK® SC-70-6 封装，具有良好的散热性能和较低的占位面积，非常适合小型化电子设备的需求。
关键参数
电流容量：在 25°C 时，SIA483ADJ-T1-GE3 的连续漏极电流（Id）为 10.6A（环境温度 Ta），而在更高的散热条件下（Tc），其可支持的漏极电流达到 12A。
工作电压：该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）最大值为 30V，能够在多种应用中提供稳定的工作环境。同时，其驱动电压范围为 4.5V 至 10V，确保能够与多种驱动电路兼容。
导通电阻：在 10V 的栅极源极电压下，SIA483ADJ-T1-GE3 的导通电阻（Rds(on)）在 5A 电流下最大值为 20 毫欧，提供了较低的功耗和高效的电流传导能力，适用于高频开关模式电源等场合。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 2.5V @ 250µA，在低电压驱动下依然能够有效开启，表现出良好的控制特性。
功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散为 3.4W（在环境温度下）和 17.9W（在高温散热条件下），符合高功率应用的需求。
操作温度范围：它支持-55°C 至 150°C 的工作温度范围，能够在恶劣环境条件下稳定运行，适合于广泛的工业及汽车应用。
应用场景
SIA483ADJ-T1-GE3 的设计使其非常适合以下几种应用：
电源管理：在多种开关电源（SMPS）中，M OSFET 可用来实现高效的转换和低静态功率损耗，提升功率转换效率。
电机控制：在电动机驱动中，可用于控制电流流向和实现电动机的启动、停止和调速，适合于各类电动声学设备及玩具。
信号开关：其快速开关速度使得 SIA483ADJ-T1-GE3 可以用于高频信号的切换，广泛应用于通信设备和数据传输设备中。
升压和降压电路：在升压和降压变换器中，MOSFET 的低导通电阻可显著提高系统效率，降低热量产生。
竞争优势
SIA483ADJ-T1-GE3 的核心竞争力在于其出色的导通电阻与功率耗散性能组合，能够承受的高电流和高温特性使其在严苛应用中表现优异。小巧的封装形式（SC-70-6）不仅有助于实现更紧凑的电路设计，还能够在诸如便携式电子设备、工业自动化以及汽车电子等对空间要求较高的领域中找到合适的应用。
总结
SIA483ADJ-T1-GE3 P 通道 MOSFET 以其高性能、可靠性和多样化的应用场景，成为如今电子设计中的一个重要组成部分。无论是在家用电器还是在复杂的工业控制系统中，SIA483ADJ-T1-GE3 都展现了其广泛的应用潜力和强大的市场竞争力。对于希望提升电源效率及设备小型化的设计工程师来说，它无疑是一个值得信赖的选择。