IRFR120PBF
IRFR120PBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRFR120 |
IRFR120PBF手册
IRFR120PBF概述
产品概述：IRFR120PBF
1. 产品简介
IRFR120PBF 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 型 MOSFET（场效应晶体管），它采用 D-Pak 封装（TO-252-3），适合各种应用，特别是在需要高效能和高可靠性的电子电路中。这种场效应管设计专注于提供优异的电气性能，并且具有广泛的工作温度范围，适合于高性能电子设备的需求。
2. 关键参数
- 制造商：Vishay Siliconix
- 器件类型：N 通道 MOSFET
- 封装：D-Pak (TO-252-3)
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 连续漏极电流 (Id)：7.7A（在 Tc 下）
- 最大功率耗散：42W（在 Tc 下） | 2.5W（在 Ta 下）
- 导通电阻 (Rds(on))：最大 270 毫欧 @ 4.6A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 4V @ 250µA
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 栅极电荷 (Qg)：最大 16nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：最大 360pF @ 25V
- 驱动电压：最大 Rds(on) 保持在 10V
3. 产品特性
IRFR120PBF 具有卓越的导通性能和低导通电阻，能够在高电流条件下有效地降低功耗。它的设计使得 MOSFET 在开关模式下表现出色，适合用于电源管理、电机驱动和高效能转换应用。该器件的 Vgs 最大值为 ±20V，使其能够在多种工作条件下适应，确保设备的稳定性和可靠性。
4. 应用领域
该 MOSFET 适用于广泛的应用领域，特别是在电子电源、逆变器、电机控制和高频开关电源中。由于其具有高的耐压能力和较低的导通电阻，IRFR120PBF 非常适合用于高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器和电池供电系统等。
5. 性能优势
此外，IRFR120PBF 的封装设计为表面贴装型（SMD），具有良好的热管理能力，这在高温环境下显得尤为重要。其高温运行能力（工作温度范围达到 -55°C 至 150°C），使得该器件能在各种严苛条件下可靠工作。
6. 可用性与支持
作为 Vishay Siliconix 的产品，IRFR120PBF 得到了良好的市场支持，可靠的供货渠道和技术支持，用户可以非常方便地获取应用文档、数据手册及其它技术资料。这使得工程师能够轻松将这些器件集成到自己的设计中，提升产品的整体性能。
7. 结论
总之，IRFR120PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有广泛的适用性和优异的电气特性。其低导通电阻、高功率处理能力及广泛的工作温度范围，结合 Vishay 作为全球知名元件制造商的支持，为设计师提供了一个稳定、可靠的解决方案。无论是在电源管理、开关电源还是其它高功率应用中，这款 MOSFET 都能提供卓越的性能，满足现代电子产品日益增长的需求。