SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7923DN-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 沟道场效应晶体管（MOSFET），专为需要高功率和高效率的应用而设计。该器件采用表面贴装型封装，封装型号为 PowerPAK® 1212-8，这种设计使得 SI7923DN-T1-GE3 非常适合现代电子设备的紧凑设计需求。

二、基本参数

• FET 类型：双 P 沟道
• 漏源电压（Vdss）：最大额定值为 30V，适合多种电源管理应用场合。
• 电流 - 连续漏极（Id）：4.3A，这一电流能力使它能够有效驱动各种负载。
• 导通电阻（最大值）：在 10V Vgs 和 6.4A Id 的条件下，导通电阻最大为 47 毫欧，这一特性对于降低功耗非常重要。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 3V，其值指示 MOSFET 开启的最低栅极电压，在小信号和逻辑级电压条件下表现良好。
• 栅极电荷（Qg）：最大 21nC 在 10V 的栅极驱动电压下，这确保了快速开关能力，适合高频操作。
• 功率 - 最大值：1.3W，足以满足大多数中等功率应用。
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C，宽广的工作温度范围确保该器件可在苛刻环境中可靠工作。
• 安装类型：表面贴装，便于自动化生产和系统集成。

三、应用领域

SI7923DN-T1-GE3 适合众多电子应用，包括但不限于：

1. 电源管理：在直流-直流转换器、开关电源和电源分配应用中，P沟道 MOSFET 是高效的开关元件。
2. 低侧开关：该器件能够作为低侧开关在电机驱动、电池管理和照明模块中使用。
3. 信号控制：在信号切换和逻辑控制电路中，适合用作逻辑电平门。
4. 便携式设备：由于其小巧的封装和出色的功率特性，广泛应用于消费电子、智能手机及可穿戴设备中。

四、关键优势

1. 高效节能：SI7923DN-T1-GE3 拥有低导通电阻特性，允许在相同的工作条件下，显著降低热损耗，从而提高效率。
2. 小尺寸高功率：小巧的 PowerPAK® 1212-8 封装意味着可以节省 PCB空间，提升电路的密集度，同时不牺牲性能。
3. 高可靠性：宽工作温度范围及优质封装确保在各种恶劣环境下的长期稳定运行。
4. 易于集成：表面贴装设计，适配现代的自动化制造过程，使得该器件极易集成到各类电子产品中。

五、总结

VISHAY SI7923DN-T1-GE3 是一款极具竞争力的 P 沟道 MOSFET，以其高效能、广泛的应用性以及卓越的可靠性，成为当今电子设计中的优选元件之一。无论是在电源管理、信号控制还是其他各种领域，这款 MOSFET 都能够为设计工程师提供优质的性能保障，是实现高效能系统设计的重要组成部分。