SI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），4.2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SI3477DV-T1-GE3手册
SI3477DV-T1-GE3概述
产品概述：SI3477DV-T1-GE3 P沟道MOSFET
SI3477DV-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由著名电子元器件供应商VISHAY（威世）制造。该元器件采用尖端的TrenchFET®技术，具有优异的导通性能和低导通电阻，适用于众多需求严苛的应用场景，包括但不限于电源管理、负载开关和电机控制等。
关键性能参数
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压为12V，使其能够有效处理常规低至中等电压应用的电流。其电流能力符合多种低压应用的要求。
连续漏极电流（Id）：SI3477DV-T1-GE3在25°C环境温度下的连续漏极电流为8A，这为电源开关和负载驱动提供了充足的当前承载能力。
导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的栅电压下，导通电阻的最大值为17.5毫欧（在9A电流下），这意味着该器件在工作时能够提供较低的功耗和发热量，从而提高系统的整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在额定条件下，该MOSFET的最大阈值电压为1V（在250µA电流下），这意味着其能够在较低的栅极电压下迅速导通，提高了开关速度并降低了控制电源的复杂性。
栅极电荷（Qg）：该元器件的栅极电荷量为90nC（在10V时），这意味着在高频应用中，其开关损耗较低，有助于系统的整体响应时间。
输入电容（Ciss）：在6V时，输入电容的最大值为2600pF，这对于高频应用和快速开关电源设计来说是一个重要参数，能够帮助设计更稳定的电路。
功率耗散：SI3477DV-T1-GE3的最大功率耗散为2W（在环境温度情况下），和4.2W（在结温情况下），使其适合于在一定功耗限制下使用。
物理与环境特性
工作温度范围：该器件适应-55°C至150°C的广泛工作温度范围，使其在极端条件下仍然可以稳定运行，适合于航天和汽车等高要求的环境。
封装类型：SI3477DV-T1-GE3采用6-TSOP封装，具体为SOT-23-6细型封装，适合于设备的小型化布局，这对于移动设备和便携式应用尤为重要。
应用场景
由于其卓越的性能参数和环境适应性，SI3477DV-T1-GE3在多个领域中都有广泛的应用。例如：
- 电源管理：可被用于开关电源设计，有效提高高效能电源的效率。
- 负载开关：适用于高效的负载控制应用，尤其是灯光和电机驱动电路。
- 汽车电子：在汽车的功率控制和电池管理系统中发挥重要作用。
- 便携设备：由于其小型封装和低功耗特性，适合用于各类移动设备。
结论
SI3477DV-T1-GE3是一款性能卓越的P沟道MOSFET，结合了低导通电阻、宽工作温度范围及出色的电气特性，是现代电子设计中不可或缺的元器件之一。其适用的广泛领域使其成为电源管理和负载控制等应用的理想选择，帮助工程师设计出性能稳定、能效高的电子产品。