FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 220mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.1nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 38pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 340mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SC-70(SOT323) |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
BSS138W 是一款高性能 N 通道 MOSFET,专为各种低功耗和高效率应用而设计,具备出色的电气特性和温度稳定性。它采用 SC-70(SOT-323)封装,适合表面贴装(SMD)方案,尤其适用于空间有限的电子设备。作为安森美(ON Semiconductor)推出的高品质器件,BSS138W 在多个领域中的表现都十分出色,包括便携式设备、工业控制系统及消费电子产品等。
BSS138W 的设计和特性使其适合广泛的应用场景,包括但不限于:
BSS138W 采用表面贴装类型,适合高密度PCB设计。在焊接时,要注意以下几点:
BSS138W 以其出色的电气特性、高温工作范围和小型化封装,成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在低功耗和高效率要求的设备中,还是在要求稳定性的严苛环境下,它都能提供理想的性能。随着电子产品的不断发展和需求增多,BSS138W 将继续发挥其关键作用,助力各类应用的成功实现。