注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SUM60020E-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263-4
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 375W 80V 150A 1个N沟道 TO-263(D2PAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
24.49按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥24.49
--
100+
￥21.85
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUM60020E-GE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 227nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10680pF @ 40V | 基本产品编号 | SUM60020 |
SUM60020E-GE3手册
SUM60020E-GE3概述
产品概述：Vishay Siliconix SUM60020E-GE3 N沟道MOSFET
Vishay Siliconix的SUM60020E-GE3是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效率电源管理和开关应用设计，具有出色的电流承载能力和热管理性能。其卓越的参数使其适用于各种需要高功率和高电压管理的工业、汽车和消费电子产品。
主要规格和参数
- 制造商：Vishay Siliconix
- 封装类型：TO-263（D²Pak），该封装方案设计兼顾紧凑性与散热效率，便于表面贴装与自动化生产。
- 场效应管类型：N沟道MOSFET，能够支持高电流与高电压操作。
- 最大漏源电压（Vdss）：80V，为大多数中高压应用提供了足够的电压头room。
- 连续漏电流（Id）：150A（在组合的工作温度下），意味着该MOSFET能够处理大量电流而不发生热失控。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅极驱动下，最大导通电阻为2.1毫欧@ 30A，确保在高负载条件下提供最低的能量损失。
- 栅极驱动电压：7.5V至10V，可以轻松与常见的驱动电路接口。
- 功率耗散（Pd）：最高达375W（在Tc=25°C），即使在苛刻环境下也能确保安全稳定的性能。
- 工作温度范围：-55°C至175°C，适合高温或者极端环境的应用，对环境适应性强。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V @ 250µA，这意味着该MOSFET可在较低的栅极电压下开始导通。
- 输入电容（Ciss）：在40V时最大为10680pF，这在高频开关应用中能够有效减少开关损失。
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大为227nC，较低的栅极电荷使得开关速度更快，减少了开关时间，对效率有积极推动。
应用场景
SUM60020E-GE3 MOSFET的高可靠性与出色的电子特性使其适用于多种应用，包括但不限于：
电源管理：在DC-DC转换器和高效电源开关应用中，作为主要开关器件，能够有效提高系统效率。
电动汽车：广泛应用于电动汽车电池管理系统、高压电源模块及电动驱动控制，符合电动汽车对高性能器件的需求。
工业控制：用于工业自动化和各种电机驱动系统，能够在恶劣环境下提供高功率转换和电流控制。
消费电子产品：在计算机、服务器、游戏机等产品中充当高效开关，以提高电源部件的性能和寿命。
结论
Vishay Siliconix的SUM60020E-GE3 N沟道MOSFET凭借其优异的电气特性、高功率密度和广泛的工作温度范围，是实现高效能转换和可靠电源管理的理想选择。其坚固的构造与卓越的散热能力，使其在各种苛刻的应用场景中都表现出色，为设计人员提供了可依赖的解决方案。