NCEP078N10G
NCEP078N10G参数
| 功率(Pd) | 100W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF@50V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.4mΩ@10V,37.5A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 53nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.07nF@50V |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@37.5A |
NCEP078N10G手册
NCEP078N10G概述
NCEP078N10G 产品概述
一、产品基本信息
NCEP078N10G是NCE（新洁能）公司推出的一款高性能功率MOSFET，采用DFN5*6封装。这种封装不仅体积小巧，而且散热性能良好，适合于各种现代电子设备的应用。作为一款低压大电流的MOSFET，NCEP078N10G在电源管理、开关电源、LED驱动、马达驱动等多个领域具有广泛的应用潜力。
二、关键规格
- 封装类型：DFN5*6
- 最大漏极-源极电压(Vds)：10V
- 最大持续漏极电流(Id)：78A
- 最低门极阈值电压(Vgs(th))：1.8V
- RDS(on) @ Vgs=10V：< 8mΩ
- 开关频率：高达200kHz
- 工作温度范围：-55°C至150°C
三、性能优势
低导通电阻：NCEP078N10G的RDS(on)非常低，这意味着在导通状态下，能量损耗极小，从而提升整个应用电路的效率。这对于需要高功率转换效率的应用尤为重要，比如DC-DC转换器和逆变器。
高电流承受能力：最大持续漏极电流为78A，使得该MOSFET能够处理高功率应用，有效满足大电流应用的需求。
快速开关特性：得益于其优越的开关特性，NCEP078N10G适合于高频开关应用，实现快速的开关控制，从而在提高系统效率和降低热损耗方面发挥了重要作用。
宽工作温度范围：其工作温度范围从-55°C到150°C，使得NCEP078N10G能够在极端环境下稳定工作，适合军工、汽车、工业等苛刻环境中使用。
四、应用领域
电源管理：在各种电源管理电路中，NCEP078N10G可以作为开关元件使用，提供高效的电源转换和管理解决方案。
开关电源：在开关电源设计中，该MOSFET可作为主要的开关器件，有助于降低功率损耗，提高电源的转换效率。
LED驱动电源：MOSFET的高电流承受能力可以满足LED照明的高功率需求，确保LED驱动电源的稳定性和可靠性。
马达驱动：NCEP078N10G的高功率特性使其能够用于各种类型的电动机驱动，包括直流电机和步进电机，适用于机器人、自动化设备等。
无线充电系统：在无线充电设备中，由于其快速开关和高效能，NCEP078N10G可以用于充电转换电路中，实现高效充电。
五、总结
NCEP078N10G作为一款创新的功率MOSFET，结合了高效能和高可靠性，适用于广泛的应用场景。凭借其优越的电气特性和热性能，它不仅能够满足工业和消费电子领域的需求，还能够在极端环境中稳定工作。随着电子产品向着更高效、更小型化的趋势发展，NCEP078N10G将会在未来的高科技应用中发挥更加重要的角色。在设计电源管理、开关电源、马达驱动等系统时，选择NCEP078N10G，将有助于提升产品的整体性能和竞争力。