IRFR7740TRPBF
IRFR7740TRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 87A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.2 毫欧 @ 52A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252AA） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 126nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4430pF @ 25V |
IRFR7740TRPBF手册
IRFR7740TRPBF概述
产品概述：IRFR7740TRPBF
IRFR7740TRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它属于英飞凌的HEXFET®系列，以其卓越的电气性能和可靠性在市场上享有盛誉。该MOSFET的设计旨在满足各种高效能应用的需求，适合在严苛环境下工作，广泛应用于电源管理、开关电源、直流-直流转换器和电动汽车等领域。
主要规格与特性
电流容量与功率处理： IRFR7740TRPBF在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）可达到87A，最大功率耗散能力为140W。这使得该器件能够在高负载条件下稳定运行，对于需要高电流和低热升高的应用尤其重要。
导通电阻与效率： 该MOSFET在10V栅压下的导通电阻（Rds On）最大值为仅7.2毫欧，显示出超低的导通损耗和高效能。在实际应用中，这种低Rds On值大幅提高了系统的整体效率，特别是在开关频率较高的场合。
门极驱动特性： IRFR7740TRPBF的门极驱动电压范围为±20V，这表现出良好的兼容性，方便与多种驱动电路结合。同时，其最大栅极电荷（Qg）为126nC @ 10V，较低的门极电荷有助于降低开关损耗，提高开关频率，使得在高频应用中，可以获得更好的性能。
开关特性与输入电容： 在最大漏源电压（Vdss）75V下，该MOSFET表现出良好的开关特性。其输入电容（Ciss）在25V时的最大值为4430pF，适合多种电源应用，因较低的输入电容使得驱动要求更低，从而优化了系统设计。
工作温度范围： IRFR7740TRPBF的工作温度范围从-55°C到175°C，这种宽温度范围使得该元器件在极端操作环境下仍能保持可靠性，特别适合于汽车、航空和其他工业应用。
封装与安装： 该MOSFET采用TO-252-3（DPAK）封装，适合表面贴装（SMD）设计。DPAK封装不仅提供良好的热管理，还简化了在自动化生产中的安装工艺，其紧凑的结构有助于节省电路板空间。
应用场景
IRFR7740TRPBF适用于多个关键领域，包括但不限于：
- 电源管理系统：在电源转换和分配中，MOSFET能够有效控制电流流动，提高电源转换效率。
- 开关电源（SMPS）：MOSFET能在高频开关操作时保持低损耗，满足高效能的电源设计要求。
- 电动汽车和混合动力汽车：作为动力输送和控制单元的一部分，IRFR7740TRPBF有助于实现高效能和电池管理。
- 工业控制系统：在自动化和控制领域内，MOSFET的高耐受能力与高散热效能使其能够轻松应对高负载要求。
总结
总之，IRFR7740TRPBF是一款多功能且性能优越的N沟道MOSFET，具有高额电流处理能力、低导通电阻和宽温度操作范围，适合用在需要高效率和高可靠性的各种应用场合。其优越的技术参数和可靠的设计使其成为电压转换和开关应用中的理想选择。