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NTD3055-094T4G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.371g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W；48W 60V 12A 1个N沟道 TO-252
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.28按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.28
--
100+
￥3.57
--
1250+
￥3.24
--
2500+
￥3.01
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
NTD3055-094T4G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 94 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta），48W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450pF @ 25V |
| 基本产品编号 | NTD30 |
NTD3055-094T4G手册
无数据
NTD3055-094T4G概述
NTD3055-094T4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计旨在满足各种电子应用的要求。该器件以其出色的电流处理能力、低导通电阻和高工作温度范围而著称，使其在多个领域，尤其是工业、汽车和消费电子领域中得到了广泛应用。
产品特性
电气参数：
- 连续漏极电流 (Id)：NTD3055-094T4G支持高达 12A 的连续电流处理能力，适合需求较高电流的应用场景。
- 漏源电压 (Vdss)：该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，这提供了一定的电压裕度，使其在高压环境中也能稳定工作。
- 导通电阻 (Rds On)：在 10V 的栅极驱动电压下，NTD3055-094T4G 的导通电阻最大为 94 毫欧，进一步确保了其低能耗和高效率操作，特别是在高频开关和功率转换器中。
封装及安装：
- 该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和易于表面贴装的特性。这种封装形式不仅可以提高装配效率，还能在高密度电路板中节省空间。
工作温度范围：
- NTD3055-094T4G 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，确保其在极端环境中也能够稳定运行。这使得该 MOSFET 特别适合于严苛的工业和汽车应用，能够应对高温、低温等各种条件。
栅极电压和电荷特性：
- 该器件的最大栅极驱动电压（Vgs）为 ±20V，Vgs(th) 最大值为 4V @ 250µA，适合广泛的驱动电压条件。
- 对于输入电容，NTD3055-094T4G 在 25V 下的最大输入电容 (Ciss) 为 450pF，显示出较好的开关性能，能够实现快速开关，减少开关损耗。
应用领域
NTD3055-094T4G 的性能特点使其适用于多种应用场合，包括但不限于：
- 开关电源：在开关电源模块中，MOSFET 可用于高频开关，确保高效能量转换。
- 电机驱动：由于其高电流处理能力，该 MOSFET 适用于电机控制应用，能有效控制电机的启停和速度调节。
- LED驱动电路：在 LED 照明领域，NTD3055-094T4G 可用于驱动高亮度 LED，保证稳定的电流供应，提高驱动效率。
- 新能源汽车：作为电力电子系统中的关键元件，该器件能在电动汽车和混合动力汽车中实现高效的功率转换和管理。
结论
综上所述，NTD3055-094T4G 是一款强大且灵活的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气参数、优秀的热管理能力以及广泛的应用适应性，已成为电子设计师和工程师在多个领域中青睐的选择。无论是在高电流应用还是在高温环境中，这款产品都能提供可靠的解决方案，为现代电子设备的高性能运行提供有力支持。