SI1034CX-T1-GE3
SI1034CX-T1-GE3参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 610mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 396 毫欧 @ 500mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 220mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
SI1034CX-T1-GE3手册
SI1034CX-T1-GE3概述
产品概述：SI1034CX-T1-GE3
一、产品简介
SI1034CX-T1-GE3 是由威世(VISHAY)公司制造的一款高性能 N-通道场效应管(MOSFET)，旨在满足各种电子应用需求。其独特的电气特性和优越的热性能使其成为功率管理、开关电源和逻辑电平驱动电路的理想选择。
二、产品特性
双 N-沟道设计： SI1034CX-T1-GE3 采用双 N-通道结构，使得设备在处理更高的电流和更快的开关速度时表现出色。这种设计在应用中能够有效减少导体损耗，提升整体系统的效率。
逻辑电平门： 该 MOSFET 具有逻辑电平驱动能力，可直接与微控制器或逻辑电路相连接，使电路设计变得更加简单和高效。其低栅极驱动电压使其适合于低功耗的应用场景，从而提高了系统的整体性能。
优异的电流承载能力： 在25°C的环境下，SI1034CX-T1-GE3 可以提供高达610mA的连续漏极电流，表现出色的电流承载能力满足了大多数沉重负载的需求。
高耐压能力： 最大漏源电压为20V，为多种应用提供了足够的安全裕度，适用于 12V 系统和更高电压的应用环境。
低导通电阻和栅极电荷： 在500mA和4.5V条件下，导通电阻的最大值为396毫欧，显著降低了导通损耗。同时，栅极电荷(Qg)的最大值为2nC，提高了开关速度并降低了耗电。
广泛的工作温度范围： SI1034CX-T1-GE3 可在-55°C至150°C的环境温度下稳定工作，使其在极端温度条件下依然可靠，适合于汽车、军用和工业设备等苛刻环境。
表面贴装型封装： 采用SC-89-6封装，表面贴装型设计提升了焊接便捷性，适合于高密度电路板设计。
三、应用场景
SI1034CX-T1-GE3 适用于广泛的电子产品，包括但不限于：
- 开关电源
- 直流-直流转换器
- 电机驱动和控制
- 逻辑电平转换应用
- 便携式设备中的功率管理
- 电子开关和继电器替代
四、总结
凭借其出色的电气特性、高度的集成度和宽广的应用范围，SI1034CX-T1-GE3 是一款非常值得考虑的 MOSFET 解决方案。无论是在低电压逻辑电路，还是在高要求的功率管理应用中，该产品都能提供稳定和高效的性能。VISHAY 的技术积累和市场认可使得 SI1034CX-T1-GE3 成为研发与设计师在选择电力组件时的可靠选择。