CSD17581Q3AT

产品概述：CSD17581Q3AT MOSFET

CSD17581Q3AT 是一款由德州仪器（TI）制造的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高效能开关应用而设计，并具有优异的导通性能和热管理能力，使其特别适合用于电源管理、电动工具、家电和各种工业设备中。

基本参数

CSD17581Q3AT 的漏源电压（Vdss）高达 30V，适用于低压应用。其 25°C 时的连续漏极电流（Id）可达到 60A（在控制温度的情况下），表明其能够承受高电流负载并有效管理散热，确保电路的稳定运行。该器件的导通电压（Vgs）具有两个主要等级，分别为 4.5V 和 10V，能够满足不同电源设计的需求。

在关键的导通电阻方面，CSD17581Q3AT 提供了优秀的表现。其 16A、10V 条件下的最大 Rds On 达到仅 3.8 毫欧，这意味着在高负载条件下能显著降低功耗与热量产生，从而提高系统整体效率。

可靠性与耐用性

该 MOSFET 的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 1.7V（250µA），确保在低电压驱动下能够实现快速开关。此外，器件的栅极电荷（Qg）最大值为 54nC（10V），这不仅有助于快速响应信号，也能降低驱动电流的需求，从而进一步提高了系统的整体效率。

关于工作环境，CSD17581Q3AT 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，显示出其在恶劣环境下的可靠性。对于大多数工业应用而言，这一特性确保了在宽广温度范围内的稳定表现。

温度管理与功率耗散

CSD17581Q3AT 的功率耗散能力令人印象深刻，最大为 2.8W（环境温度）和 63W（控制温度）。这使得该器件在高负载情况下的热管理非常有效，从而确保了系统中的各种元件不会因过热而导致性能下降或故障。优化的散热设计使得其在高功率开关应用中非常理想。

封装与安装

该器件采用 8-PowerVDFN (PDFN-8，3x3.15mm) 的表面贴装封装，极大地节省了电路板空间，同时方便焊接和布局。DFN 封装不仅有助于提高电路的电气性能，还拥有优异的热导性，进一步增强了其散热能力。

应用场景

CSD17581Q3AT 的设计使其非常适合用于各种应用场景，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。其高效率和低功耗特性使其能够广泛应用于消费电子设备、电动工具以及各类工业设备中，帮助客户实现高效的电源管理解决方案。

总结

综上所述，CSD17581Q3AT 是一款专注于高效能、低损耗的 N 通道 MOSFET，具备优越的性能和可靠性。凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围，CSD17581Q3AT 成为现代电源管理和各类电子设备中的优秀选择。值得注意的是，德州仪器作为行业领导者，其可靠的产品质量和行业经验为此器件的应用提供了坚实的保障。无论在设计、开发还是实际应用中，CSD17581Q3AT 都是追求卓越性能和高效能用户的理想选择。